Monte carlo study of hot-carrier transport in bulk wurtzite GaN and modeling of a near-terahertz impact avalanche transit time diode

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 12, 2004, Pages 7925-7935

  Reklaitis, A ^a   Reggiani, L ^b  

^a CENTER FOR PHYSICAL SCIENCES AND TECHNOLOGY   (Lithuania)

^b NATIONAL NANOTECHNOLOGY LABORATORY   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AVALANCHE DIODES; CHARGE TRANSFER; COMPUTER SIMULATION; DEFORMATION; DIFFUSION; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; FIELD EFFECT TRANSISTORS; IONIZATION; MICROWAVES; MONTE CARLO METHODS; OPTOELECTRONIC DEVICES;

BAND GAP; HOLE TRANSPORT PROPERTIES; IMPACT AVALANCHE TRANSIT TIME (IMPATT) DIODES; MICROWAVE GENERATORS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 3142599545     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1702144     Document Type: Article

References (35)

1. H. Eisele and G. I. Haddad, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 739 (1998).
2. C. Benz and J. Freyer, Electron. Lett. 34, 2351 (1998).
3. A. K. Panda, D. Pavlidis, and E. Alekseev, IEEE Trans. Electron Devices 48, 820 (2001).
4. S. K. Pugh, D. J. Dugdale, S. Brand, and R. A. Abram, Semicond. Sci. Technol. 14, 23 (1999).
5. L. Hsu and W. Walukiewicz, Phys. Rev. B 56, 1520 (1997).
6. B. E. Foutz, S. K. O'Leary, M. S. Shur, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 7727 (1999).
7. J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farahmand, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 83, 4777 (1998).
8. T.-H. Yu and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 91, 3730 (2002).
9. J. S. Im, A. Moritz, F. Steuber, V. Harle, F. Scholz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 70, 631 (1997).
10. I. H. Oguzman, J. Kolnik, K. Brennan, R. Wang, T.-N. Fang, and P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 80, 4429 (1996).
11. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, B. Segall, and M. van Schilfgaarde, Phys. Rev. B 56, 7363 (1997).
12. U. V. Bhapkar and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997).
13. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 826 (1998).
14. T. Tripathi and B. K. Ridley, Phys. Rev. B 66, 195301 (2002).
15. G. Tamulaitis, A. Žukauskas, J. W. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 75, 2277 (1999).
16. A. Reklaitis, J. Appl. Phys. 80, 1242 (1996).
17. V. A. Dmitriev, K. G. Irvine, C. H. Carter, Jr., N. I. Kuztetsov, and E. V. Kalinina, Appl. Phys. Lett. 68, 229 (1996).
18. N. Dyakonova, A. Dickens, M. S. Shur, R. Gaska, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 72, 2562 (1998).
19. I. H. Oguzman, E. Bellotti, K. F. Brennan, J. Kolnik, R. Wang, and P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 81, 7827 (1997).
20. D. C. Look and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 79, 1133 (2001).
21. U. Kaufmann, P. Schlotter, H. Obloh, K. Kohler, and M. Maier, Phys. Rev. B 62, 10867 (2000).
22. Z. C. Huang, R. Goldberg, J. C. Chen, Y. Zheng, D. B. Mott, and P. Shu, Appl. Phys. Lett. 67, 2825 (1995).
23. M. Wraback, H. Shen, J. C. Carrano, T. Li, C. Campbell, M. J. Schurman, and I. T. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 76, 1155 (2000).
24. A. Reklaitis, Phys. Status Solidi B 83, K121 (1977).
25. J. Požela and A. Reklaitis, Solid-State Electron, 23, 927 (1980).
26. C. G. Rodrigues, V. N. Freire, A. R. Vasconcellos, and R. Luzzi, Appl. Phys. Lett. 76, 1893 (2000).
27. M. Wraback et al., Appl. Phys. Lett. 82, 3674 (2003).
28. W. Shockley, J. Appl. Phys. 9, 635 (1938).
29. S. Ramo, Proc. IRE 27, 584 (1939).
30. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids 12, 181 (1959).
31. C. Bentz, M. Claasen, and D. Liebig, J. Appl. Phys. 81, 3181 (1997).
32. A. Reklaitis and G. Grigaliunaite, Phys. Rev. B 63, 155301 (2001).
33. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Willey, New York, 1981), Chap. 10.
34. J. Burm, K. Chu, W. A. Davis, W. J. Schaff, L. F. Eastmann, and T. J. Eustis, Appl. Phys. Lett. 70, 464 (1997).
35. Z.-F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkos, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).