Electrical properties of NiAu and Au contacts on p-type GaN

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 1, 2005, Pages 48-50

  Lin, Yow Jon ^a  

^a NATIONAL CHANGHUA UNIVERSITY OF EDUCATION   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DESORPTION; GALLIUM NITRIDE; GOLD; HYDROGEN; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY;

HOLE CONCENTRATION; TUNNELING TRANSMISSION;

NICKEL COMPOUNDS;

EID: 31144451022     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1835312     Document Type: Article

References (20)

1. M. Osiński, Gallium-Nitride-Based Technologies (SPIE, Washington, 2002).
2. H. Morko̧, Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Berlin, 1999).
3. E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes (Cambridge University Press, Cambridge, 2003).
4. J. S. Kwak, O. H. Nam, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 80, 3554 (2002).
5. H. W. Jong and J. L. Lee, J. Appl. Phys. 93, 5416 (2003).
6. J. O. Song, D. S. Leem, J. S. Kwak, O. H. Nam, Y. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 83, 2372 (2003).
7. Y. J. Lin, Z. D. Li, C. W. Hsu, F. T. Chien, C. T. Lee, S. T. Shao, and H. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 82, 2817 (2003).
8. J. S. Kwak, J. Cho, S. Chae, O. H. Nam, C. Sone, and Y. Park, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6221 (2001).
9. H. Kim, D. J. Kim, S. J. Park, and H. Hwang, J. Appl. Phys. 89, 1506 (2001).
10. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 88, 4196 (2000).
11. Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, J. Electron. Mater. 28, 341 (1999).
12. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
13. J. K. Ho, C. S. Jong, C. N. Huang, C. Y. Chen, C. C. Chiu, and K. K. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 1275 (1999).
14. J. K. Ho, C. S. Jong, C. N. Huang, C. C. Chiu, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999).
15. S. H. Wang, S. E. Mohney, and R. Birkhahn, J. Appl. Phys. 91, 3711 (2002).
16. D. Mistele, F. Fedler, H. Klausing, T. Rotter, J. Stemmer, O. K. Semchinova, and J. Aderhold, J. Cryst. Growth 230, 564 (2001).
17. I. Waki, H. Fujioka, M. Oshima, H. Miki, and A. Fukizawa, Appl. Phys. Lett. 78, 2899 (2001).
18. K. A. Rickert, A. B. Ellis, J. K. Kim, J. L. Lee, F. J. Himpsel, F. Dwikusuma, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 92, 6671 (2002).
19. L. S. Yu, D. Qiao, L. Jia, S. S. Lau, Y. Qi, and K. M. Lau, Appl. Phys. Lett. 79, 4536 (2001).
20. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L139 (1992).