-
1
-
-
0032624549
-
-
M. Armacost, P. D. Hoh, R. Wise, W. Yan, J. J. Brown, J. H. Keller, G. A. Kaplita, S. D. Halle, K. P. Mller, M. D. Naeem, S. Srinivasan, H. Y. Ng, M. Gutsche, A. Gutmann, and B. Spuler, IBM J. Res. Dev. 43, 39 (1999).
-
(1999)
IBM J. Res. Dev.
, vol.43
, pp. 39
-
-
Armacost, M.1
Hoh, P.D.2
Wise, R.3
Yan, W.4
Brown, J.J.5
Keller, J.H.6
Kaplita, G.A.7
Halle, S.D.8
Mller, K.P.9
Naeem, M.D.10
Srinivasan, S.11
Ng, H.Y.12
Gutsche, M.13
Gutmann, A.14
Spuler, B.15
-
2
-
-
0025623914
-
-
E. Collard, C. Lejuene, J. P. Grandchamp, J. P. Gillers, and P. Scheiblin, Thin Solid Films 193, 100 (1990).
-
(1990)
Thin Solid Films
, vol.193
, pp. 100
-
-
Collard, E.1
Lejuene, C.2
Grandchamp, J.P.3
Gillers, J.P.4
Scheiblin, P.5
-
3
-
-
0001104790
-
-
M. F. Dowmling, N. R. Rueger, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1998 (1998).
-
(1998)
J. Vac. Sci. Technol. B
, vol.16
, pp. 1998
-
-
Dowmling, M.F.1
Rueger, N.R.2
Oehrlein, G.S.3
Cook, J.M.4
-
4
-
-
0028404791
-
-
T. Fukasawa, A. Nakamura, H. Shindo, and Y. Horiike, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2139 (1994).
-
(1994)
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1
, vol.33
, pp. 2139
-
-
Fukasawa, T.1
Nakamura, A.2
Shindo, H.3
Horiike, Y.4
-
6
-
-
0000025492
-
-
H.-H. Doh, J.-H. Jim, K.-W. Whang, and S.-H. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1088 (1996).
-
(1996)
J. Vac. Sci. Technol. A
, vol.14
, pp. 1088
-
-
Doh, H.-H.1
Jim, J.-H.2
Whang, K.-W.3
Lee, S.-H.4
-
7
-
-
0003023965
-
-
M. Haverlag, G. M. W. Kroesen, C. J. H. de Zeeuw, Y. Creyghton, T. JH. J. Bisschops, and F. J. de Hood, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 529 (1989).
-
(1989)
J. Vac. Sci. Technol. B
, vol.7
, pp. 529
-
-
Haverlag, M.1
Kroesen, G.M.W.2
De Zeeuw, C.J.H.3
Creyghton, Y.4
Bisschops, T.J.H.J.5
De Hood, F.J.6
-
8
-
-
84881155372
-
-
G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vender, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 333 (1994).
-
(1994)
J. Vac. Sci. Technol. A
, vol.12
, pp. 333
-
-
Oehrlein, G.S.1
Zhang, Y.2
Vender, D.3
Joubert, O.4
-
9
-
-
84967846274
-
-
K. H. R. Kirmse, A. E. Wendt, G. S. Oehrlein, and Y. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1287 (1994).
-
(1994)
J. Vac. Sci. Technol. A
, vol.12
, pp. 1287
-
-
Kirmse, K.H.R.1
Wendt, A.E.2
Oehrlein, G.S.3
Zhang, Y.4
-
20
-
-
3142558000
-
-
X. Li, L. Ling, X. Hua, G. S. Oehrlein, Y. Wang, A. V. Vasenkov, and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 500 (2004).
-
(2004)
J. Vac. Sci. Technol. A
, vol.22
, pp. 500
-
-
Li, X.1
Ling, L.2
Hua, X.3
Oehrlein, G.S.4
Wang, Y.5
Vasenkov, A.V.6
Kushner, M.J.7
-
21
-
-
0000604558
-
-
H. Nakagawa, S. Morishita, S. Noda, M. Okigawa, M. Inoue, M. Sekine, and K. Ito, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1514 (1999).
-
(1999)
J. Vac. Sci. Technol. A
, vol.17
, pp. 1514
-
-
Nakagawa, H.1
Morishita, S.2
Noda, S.3
Okigawa, M.4
Inoue, M.5
Sekine, M.6
Ito, K.7
-
22
-
-
0033130739
-
-
C. Monget, D. Fuard, O. Joubert, and J. P. Panabiere, Microelectron. Eng. 46, 349 (1999).
-
(1999)
Microelectron. Eng.
, vol.46
, pp. 349
-
-
Monget, C.1
Fuard, D.2
Joubert, O.3
Panabiere, J.P.4
-
23
-
-
0028253072
-
-
M.-R. Lin, P. Fang, F. Heiler, R. Rakkhit, and L. Shen, IEEE Electron Device Lett. 15, 25 (1994).
-
(1994)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.15
, pp. 25
-
-
Lin, M.-R.1
Fang, P.2
Heiler, F.3
Rakkhit, R.4
Shen, L.5
-
24
-
-
0032095128
-
-
H.-C. Cheng, W. Lin, T.-K. Kang, Y.-C. Perng, and B.-T. Dai, IEEE Electron Device Lett. 19, 183 (1998).
-
(1998)
IEEE Electron Device Lett.
, vol.19
, pp. 183
-
-
Cheng, H.-C.1
Lin, W.2
Kang, T.-K.3
Perng, Y.-C.4
Dai, B.-T.5
|