Control of InAsGaAs quantum dot density and alignment using modified buffer layers

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 4, 2005, Pages 1736-1740

  Ye, W ^a   Hanson, S ^a   Reason, M ^a   Weng, X ^a   Goldman, R S ^a  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BUFFER LAYERS; ISOTROPIC DISTRIBUTIONS; SPACE LAYERS;

ANNEALING; LOW TEMPERATURE EFFECTS; NUCLEATION; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SUPERLATTICES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 31144438256     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1949215     Document Type: Article

References (34)

1. Q. H. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. P. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
2. J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
3. V. Holy, G. Springholz, M. Pinczolits, and G. Bauer, Phys. Rev. Lett. 83, 356 (1999).
4. K. M. Kim, Y. J. Park, Y. M. Park, C. K. Hyon, E. K. Kim, and J. H. Park, J. Appl. Phys. 92, 5453 (2002).
5. G. S. Solomon, Appl. Phys. Lett. 84, 2073 (2004).
6. T. Mano, R. Notzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, J. Appl. Phys. 95, 109 (2004).
7. Z. M. Wang, K. Holmes, Y. I. Mazur, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 84, 1931 (2004).
8. T. Mano, R. Notzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, Appl. Phys. Lett. 81, 1705 (2002).
9. Z. G. Wang, Y. H. Chen, F. Q. Liu, and B. Xu, J. Cryst. Growth 227, 1132 (2001).
10. X. Q. Meng, P. Jin, B. Xu, C. M. Li, Z. Y. Zhang, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 241, 69 (2002).
11. Y. I. Mazur, W. Q. Ma, X. Wang, Z. M. Wang, G. J. Salamo, M. Xiao, T. D. Mishima, and M. B. Johnson, Appl. Phys. Lett. 83, 987 (2003).
12. M. Kitamura, M. Nishioka, J. Oshinowo, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 66, 3663 (1995).
13. H. Lee, J. A. Johnson, J. S. Speck, and P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2193 (2000).
14. C. Orme, M. D. Johnson, J. L. Sudijono, K. T. Leung, and B. G. Orr, Appl. Phys. Lett. 64, 860 (1994).
15. G. Lengel, R. J. Phaneuf, E. D. Williams, S. Das Sarma, W. Beard, and F. G. Johnson, Phys. Rev. B 60, R8469 (1999).
16. G. Apostolopoulos, J. Herfort, L. Daweritz, K. H. Ploog, and M. Luysberg, Phys. Rev. Lett. 84, 3358 (2000).
17. K. Reginski, J. Muszalski, V. V. Preobrazhenski, and D. I. Lubyshev, Thin Solid Films 267, 54 (1995).
18. V. V. Perobrazhenskii, M. A. Putyato, O. P. Pchelakov, and B. R. Semyagin, J. Cryst. Growth 201, 169 (1999).
19. L. P. Ramberg, J. Westin, and T. G. Andersson, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1654 (1987).
20. B. D. Schultz, H. H. Farrell, M. M. R. Evans, K. Ludge, and C. J. Palmstrom, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1600 (2002).
21. D. W. Gotthold, S. Govindaraju, T. Mattord, A. L. Holmes, and B. G. Streetman, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 461 (2000).
22. K. Shiraishi, Appl. Phys. Lett. 60, 1363 (1992).
23. E. J. Heller and M. G. Lagally, Appl. Phys. Lett. 60, 2675 (1992).
24. G. Ehrich and F. J. Hudda, J. Chem. Phys. 44, 1069 (1966).
25. R. L. Schwoebel and E. J. Shipsey, J. Appl. Phys. 37, 3682 (1966).
26. W. Ye, M. Reason, X. Weng, and R. S. Goldman (unpublished).
27. J. M. Garcia, J. P. Silveria, and F. Briones, Appl. Phys. Lett. 77, 409 (2000).
28. B. Lita, R. S. Goldman, J. D. Phillips, and P. K. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 75, 2797 (1999).
29. B. Lita, R. S. Goldman, J. D. Phillips, and P. K. Bhattacharya, Surf. Rev. Lett. 7, 539 (2000).
30. R. S. Goldman, J. Phys. D 37, R163 (2004).
31. T. S. Yeoh, R. B. Swint, V. C. Elarde, and J. J. Coleman, Appl. Phys. Lett. 84, 3031 (2004).
32. V. C. Elarde, T. S. Yeoh, R. Rangarajan, and J. J. Coleman, J. Cryst. Growth 272, 148 (2004).
33. A. Ponchet, D. Lacombe, L. Durand, D. Alquier, and J.-M. Cardonna, Appl. Phys. Lett. 72, 2984 (1998).
34. J. C. Gonzalez, F. M. Matinaga, W. N. Rodrigues, M. V. B. Moreira, M. I. Da Silva, J. M. C. Vilela, M. S. Andrade, D. Ugarte, and P. C. Silva, Appl. Phys. Lett. 76, 3400 (2000).