Fabrication of (in,Ga)As quantum-dot chains on GaAs(100)

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 11, 2004, Pages 1931-1933

  Wang, Z M ^a   Holmes, K ^a   Mazur, Yu I ^a   Salamo, G J ^a  

^a UNIVERSITY OF ARKANSAS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

QUANTUM DOT CHAINS; SPATIAL ORDERING;

ANISOTROPY; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CONTINUUM MECHANICS; DEFECTS; ELASTICITY; GALLIUM COMPOUNDS; LITHOGRAPHY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MULTILAYERS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NUCLEATION; OPTOELECTRONIC DEVICES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 1842738083     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1669064     Document Type: Article

References (24)

1. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. P. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
2. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996).
3. J. Tersoff, C. Teichert, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 1675 (1996).
4. F. Liu, S. E. Davenport, H. M. Evans, and M G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 82, 2528 (1999).
5. W. Chen, B. Shin, R. S. Goldman, A. Stiff, and P. K. Bhattacharya, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1920 (2003).
6. G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits, and G. Bauer, Science 282, 734 (1998):
7. A. Konkar, R. Heitz, T. R. Ramachandran, P. Chen, and A. Madhukar, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1334 (1998).
8. H. Lee, J. A. Johnson, M. Y. He, J. S. Speck, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 78, 105 (2001).
9. S. Lan, K. Akahane, H. Z. Song, Y. Okada, and M. Kawabe, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1105 (1999).
10. J. S. Lee, M. Sugisaki, H. W. Ren, S. Sugou, and Y. Masumoto, Physica E 7, 303 (2000).
11. W. Ma, R. Nötzel, A. Trampert, M. Ramsteiner, H. Zhu, H.-P. Schönherr, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 78, 1297 (2001).
12. T. Mano, R. Nötzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, Appl. Phys. Lett. 81, 1705 (2002).
13. X. Q. Meng, P. Jin, B. Xu, C. M. Li, Z. Y. Zhang, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 241, 69 (2002).
14. T. Mano, R. Nötzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, J. Cryst. Growth 251, 264 (2003).
15. Yu. I. Mazur, W. Q. Ma, X. Wang, Z. M. Wang, G. J. Salamo, M. Xiao, T. D. Mishima, and M. B. Johnson, Appl. Phys. Lett. 83, 987 (2003).
16. Z. M. Wang, H. Churchill, C. E. George, and G. J. Salamo (unpublished).
17. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11687 (1994).
18. G. S. Solomon, J. A. Trezza, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 66, 991 (1994).
19. Y. Nabetani, T. Ishikawa, S. Noda, and A. Sasaki, J. Appl. Phys. 76, 347 (1994).
20. J. Marquez, L. Geelhaar, and K. Jacobi, Appl. Phys. Lett. 78, 2309 (2001).
21. Z. M. Wang, S. L. Feng, X. P. Yang, Y. M. Deng, Z. D. Lu, Z. Y. Xu, Z. G. Chen, H. Z. Zheng, P. D. Han, F. L. Wang, and X. F. Duan, Phys. Low-Dimens. Semicond. Struct. 11/12, 213 (1997).
22. I. Mukhametzhanov, R. Heitz, J. Zeng, P. Chen, and A. Madhucar, Appl. Phys. Lett. 73, 1841 (1998).
23. H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, D. Ding, and Z. G. Wang, J. Appl. Phys. 88, 5433 (2000).
24. Y. I. Mazur, X. Wang, Z. M. Wang, G. J. Salamo, M. Xiao, and H. Kissel, Appl. Phys. Lett. 81, 2469 (2002).