Depth dependence of defect density and stress in GaN grown on SiC

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 12, 2005, Pages

  Faleev, N ^a   Temkin, H ^b   Ahmad, I ^c   Holtz, M ^c   Melnik, Yu ^d,e  

^a UNIVERSITY OF DELAWARE   (United States)

^b Texas Tech University   (United States)

^c TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

^d TDI Inc   (United States)

^e OmniGuide   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELASTIC STRAIN; SURFACE LAYER; THREADING SCREW DISLOCATIONS;

GALLIUM NITRIDE; NUCLEATION; STRESS ANALYSIS; THERMAL EXPANSION; X RAY DIFFRACTION;

SILICON COMPOUNDS;

EID: 29744457280     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2141651     Document Type: Review

References (31)

1. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
3. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
4. F. A. Ponce, B. S. Krusor, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 67, 410 (1995).
5. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.124920 75, 2073 (1999); (see also J. P. Zhang, H. M. Wang, M. E. Gaevski, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1477620 80 (19), 3542 (2002); H. M. Wang, J. P. Zhang, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002)).
6. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.124920 75, 2073 (1999); (see also J. P. Zhang, H. M. Wang, M. E. Gaevski, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1477620 80 (19), 3542 (2002); H. M. Wang, J. P. Zhang, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002)).
7. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.124920 75, 2073 (1999); (see also J. P. Zhang, H. M. Wang, M. E. Gaevski, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1477620 80 (19), 3542 (2002); H. M. Wang, J. P. Zhang, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002)).
8. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz, N. M. Jonson, H. I. Helava, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 68, 917 (1996).
9. N. N. Faleev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, K. M. Pavlov, V. I. Punegov, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Semiconductors 1063-7826 10.1134/1.1187855 33, 1229 (1999); N. N. Faleev, Yu. G. Musikhin, A. A. Suvorova, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Semiconductors 35, 969 (2001).
10. N. N. Faleev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, K. M. Pavlov, V. I. Punegov, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Semiconductors 1063-7826 10.1134/1.1187855 33, 1229 (1999); N. N. Faleev, Yu. G. Musikhin, A. A. Suvorova, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, M. Tabuchi, and Y. Takeda, Semiconductors 35, 969 (2001).
11. J. Tersoff and F. K. LeGoues, Phys. Rev. Lett. 72, 3570 (1994).
12. V. G. Gruzdov, A. O. Kosogov, and N. N. Faleev, Tech. Phys. Lett. 20, 561 (1994).
13. L. A. Bendersky, D. V. Tsevtkov, and Yu. V. Melnik, J. Appl. Phys. 94, 1676 (2003).
14. L. E. Shilkrot, D. J. Srolovitz, and J. Tersoff, Phys. Rev. B 62, 8397 (2000) (and references therein).
15. A. A. Chernov, Modern Crystallography III, Crystal Growth (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 1984), Chaps.,.
16. X. J. Ning, F. R. Chien, P. Pirouz, J. W. Yang, and M. A. Khan, J. Mater. Res. 0884-2914 11, 580 (1996); X. N. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
17. X. J. Ning, F. R. Chien, P. Pirouz, J. W. Yang, and M. A. Khan, J. Mater. Res. 0884-2914 11, 580 (1996); X. N. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
18. T. S. Zheleva, O. H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
19. N. Faleev (private communication).
20. A. Kazimirov, N. N. Faleev, H. Temkin, M. J. Bedzyk, V. Dmitriev, and Yu. Melnik, J. Appl. Phys. 89, 6092 (2001).
21. H. Marchand, L. Zhao, N. Zhang, B. Moran, R. Coffie, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and J. A. Freitas, J. Appl. Phys. 89, 7846 (2001), and references therein.
22. Yu. V. Melnik, I. P. Nikitina, A. S. Zubrilov, A. A. Sitnikova, Yu. G. Musikhin, and V. A. Dmitriev, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 863 (1996).
23. I. Nikitina, G. Mosina, Yu. Melnik, A. Nikolaev, and K. Vassilevski, Mater. Sci. Eng., B 61-62, 325 (1999).
24. P. F. Fewster and N. L. Andrew, J. Appl. Crystallogr. 28, 451 (1995).
25. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
26. M. Holtz, M. Seon, T. Prokofyeva, H. Temkin, R. Singh, F. P. Dabkowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 75, 1757 (1999).
27. K. G. Fertitta, A. L. Holmes, F. J. Ciuba, R. D. Dupuis, and F. A. Ponce, J. Electron. Mater. 24, 257 (1995).
28. J. P. Zhang, M. A. Khan, W. H. Sun, H. M. Wang, C. Q. Chen, Q. Fareed, E. Kuokstis, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 81, 4392 (2002).
29. I. Ahmad, M. Holtz, N. Faleev, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 95, 1692 (2004).
30. V. I. Punegov and N. N. Faleev, Phys. Solid State 38, 143 (1996).
31. V. I. Punegov, K. M. Pavlov, S. G. Podorov, and N. N. Faleev, Phys. Solid State 38, 148 (1996).