Dependence of the stress-temperature coefficient on dislocation density in epitaxial GaN grown on α-Al2O3 and 6H-SiC substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 4, 2004, Pages 1692-1697

  Ahmad, I ^a   Holtz, M ^a   Faleev, N N ^a,b   Temkin, H ^a  

^a TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

^b Rigaku/MSC Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELASTIC MODULI; EPITAXIAL GROWTH; INTERFEROMETRY; MECHANICAL VARIABLES MEASUREMENT; POISSON RATIO; RAMAN SPECTROSCOPY; STRESS INTENSITY FACTORS; STRESSES; THERMAL STRESS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

DISLOCATION DENSITY; PHASE SHIFT INTERFEROMETRY; STRESS MEASUREMENT; STRESS TEMPERATURE COEFFICIENT; THREADING DISLOCATION DENSITIES;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 1542306883     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1637707     Document Type: Article

References (41)

1. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
2. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
3. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
4. F. A. Ponce, B. S. Krusor, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 67, 410 (1995).
5. S. A. Niksihin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A Seryogin, H. Temkin, T. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 79, 2073 (1999).
6. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz, N. M. Jonson, H. I. Helava, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 68, 917 (1996).
7. V. Kirchner, H. Heinke, D. Hommel, J. Z. Domagala, and M. Leszcynski, Appl. Phys. Lett. 77, 1484 (2000).
8. M. Leszczynski, T. Suski, H. Teisseyre, P. Perlin, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, and T. D Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 4909 (1994).
9. A. U. Shelag and V. A. Savastenko, Ser. Fiz. Mat. Nauk 3, 126 (1976).
10. Landolt-Bornstein (Springer, New York, 1982).
11. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, K. Itoh, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1456 (1992).
12. J. Neugebaur and C. G Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
13. B. Gil, in Gallim Nitride II, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, Boston, 1999), Vol. 57.
14. W. Rieger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 68, 970 (1996).
15. L. T. Romano, C. G. Van de Walle, J. W. Ager, W. Götz, and R. S. Kern, Appl. Phys. Lett. 87, 7745 (2000).
16. C. Ramkumar, T. Prokofyeva, M. Seon, M. Holtz, K. Choi, J. Yun, S. A. Nikishin, and H. Temkin, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 693, 13.55.1 (2002).
17. J. Han, K. E. Waldrip, S. R. Lee, J. J. Figiel, S. J. Hearne, G. A. Petersen, and S. M. Myers, Appl. Phys. Lett. 78, 67 (2001).
18. K. Hiramatsu, T. Detchprohm, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part I 32, 1528 (1993).
19. H. Heinke, V. Kirchner, S. Einfeldt, and D. Hommel, Appl. Phys. Lett. 77, 2145 (2000).
20. R. Liu and N. Cave, in SiGeC Alloys and their Applications, edited by S. Pantelides and S. Zollner (Gordon and Breach, New York, 2002).
21. M. Holtz, M. Seon, T. Prokofyeva, H. Temkin, R. Singh, F. B. Dabkowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 75, 1757 (1999).
22. V. Y. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnikov, A. N. Smirnov, M. A. Jacobson, and O. K. Semchinova, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
23. I. Lee, I. Choi, C. Lee, E. Shin, D. Kim, S. K. Noh, S. Son, J. Y. Lim, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 83, 5787 (1998).
24. C. C. Lee, C. L. Tien, W. S. Sheu, and C. C. Jaing, Rev. Sci. Instrum. 72, 2128 (2001).
25. R. Gaska, A. Osinsky, J. W. Yang, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 19, 89 (1998).
26. M. Seon, T. Prokofyeva, M. Holtz, S. A. Nikshin, N. N. Faleev, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 1842 (2000).
27. M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, C. T. Foxon, and T. S. Cheng, Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996).
28. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79. 3343 (1996).
29. J. B. Wachman, W. E. Tefft, D. E. Lam, and R. P. Stinchfield, J. Res. Natl. Bur. Stand. 64A, 213 (1960).
30. K. Kom, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 50, 1502 (1994).
31. T. Azuhata, T. Sota, and K. Suzuki, J. Phys.: Condens. Matter 8, 3111 (1996).
32. M. Leszczynski, T. Suski, H. Teisseyre, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, and J. Major, J. Phys. D 28, L149 (1995).
33. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
34. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994).
35. T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S. A. Nikshin, N. N. Faleev, H. Temkin, and S. Zollner, Phys. Rev. B 63, 125313 (2000).
36. G. H. Olson and M. Ettenberg, J. Appl. Phys. 48, 2543 (1977).
37. M. E. Sherwin and T. D. Drummond, J. Appl. Phys. 69, 8423 (1991).
38. R. G. Munro, J. Phys. Chem. Ref. Data 26, 1195 (1997).
39. M. Holtz, T. Prokofyeva, M. Seon, K. Copeland, J. Vanbuiskirk, S. Williams, S. Nikishin, V. Tretyakov, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 89, 7977 (2001).
40. N. Faleev, I. Ahmad, M. Holtz, and H. Temkin (unpublished).
41. C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. H. K. Ohsato, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 75, 3964 (1994).