Sb-Mediated Si heteroepitaxial growth on Ge(0 0 1)

Surface Science

Volumn 560, Issue 1-3, 2004, Pages 12-26

  Wang, J ^a   Li, M ^a   Altman, E I ^a  

^a Yale University   (United States)

Author keywords

Antimony; Germanium; Growth; Scanning tunneling microscopy; Silicon

Indexed keywords

ANTIMONY; DIFFUSION; DIMERS; EPITAXIAL GROWTH; GERMANIUM; HETEROJUNCTIONS; MONOLAYERS; NUCLEATION; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SURFACE ACTIVE AGENTS; SURFACE ROUGHNESS;

DOMAIN BOUNDARIES; HETEROEPITAXIAL GROWTH; SEGREGATION;

SILICON;

EID: 2942648641     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.susc.2004.04.055     Document Type: Article

References (48)

1. Wulfhekel W., Hattink B.J., Zandvliet H.J.W., Rosenfeld G., Poelsema B. Phys. Rev. Lett. 79:1997;2494.
2. Mo Y.W., Savage D.E., Swartzentruber B.S., Lagally M.G. Phys. Rev. Lett. 65:1990;1020.
3. Xin X.R., Swartzentruber B.S., Lagally M.G. Phys. Rev. Lett. 84:2000;4645.
4. Butz R., Kampers S. Appl. Phys. Lett. 61:1992;1307.
5. Hirayama H., Mizuno H., Yoshida R. Phys. Rev. B. 66:2002;165428.
6. Wu F., Chen X., Zhang Z., Lagally M.G. Phys. Rev. Lett. 74:1995;574.
7. Copel M., Reuter M.C., Kaxiras E., Tromp R.M. Phys. Rev. Lett. 63:1989;632.
8. Kawabata H., Ueba H., Tatsuyama C. J. Appl. Phys. 66:1989;634.
9. Aubel D., Kubler L., Bischoff J.L., Bolmont D. Surf. Sci. 352-254:1996;634.
10. Lin D.S., Miller T., Chiang T.C. Phys. Rev. B. 47:1993;6543.
11. Tsu R., Xiao H.Z., Kim Y.W., Hasan M.A., Birnbaum H.K., Greene J.E., Lin D.S., Chiang T.C. J. Appl. Phys. 75:1994;240.
12. Wulfhekel W., Zandvliet H.J.W., Hattink B., Rosenfeld G., Comsa G., Poelsema B. Phys. Rev. B. 58:1998;15359.
13. Zandvliet H.J.W., Zoethout E., Wulfhekel W., Poelsema B. Surf. Sci. 482-485:2001;391.
14. Zoethout E., Gurlu O., Zandvliet H.J.W., Poelsema B. Surf. Sci. 452:2000;247.
15. Dentel D., Bischoff J.L., Bolmont D., Kubler L. Surf. Sci. 402-404:1998;304.
16. Tromp R.M., Reuter M.C. Phys. Rev. Lett. 68:1992;954.
17. Voigtlander B., Zinner A. J. Vac. Sci. Technol. A. 12:1994;1932.
18. Li M., Altman E.I. Surf. Sci. 537:2003;205.
19. Vrijmoeth J., van der Vegt H.A., Meyer J.A., Vlieg E., Behm R.J. Phys. Rev. Lett. 72:1994;3843.
20. Voigtlander B., Zinner A., Weber T., Bonzel H.P. Phys. Rev. B. 51:1995;7583.
21. Kandel D., Kaxiras E. Phys. Rev. Lett. 75:1995;2742.
22. Hwang I.-S., Chang T.-C., Tsong T.T. Surf. Sci. 410:1998;L741.
23. Hwang I.-S., Chang T.-C., Tsong T.T. Phys. Rev. Lett. 80:1998;4229.
24. Ide T. Phys. Rev. B. 51:1995;5397.
25. Garni B., Kravchenko I.I., Salling C.T. Surf. Sci. 423:1999;43.
26. Li M., Altman E.I. Phys. Rev. B. 67:2003;165310.
27. Li M., Altman E.I. Surf. Sci. 526:2003;L117.
28. Nakakura C.Y., Phanse V.M., Zheng G., Bannon G., Altman E.I., Lee K.P. Rev. Sci. Instrum. 69:1998;3251.
29. Chan L.H., Altman E.I., Liang Y. J. Vac. Sci. Technol. A. 19:2001;976.
30. Chan L.H., Altman E.I. Phys. Rev. B. 63:2001;195309.
31. Galea T.M., Ordas C., Zoethout E., Zandvliet H.J.W., Poelsema B. Phys. Rev. B. 62:2000;7206.
32. Hamers R.J., Köhler U.K., Demuth J.E. J. Vac. Sci. Technol. A. 8:1990;195.
33. Li M., Altman E.I. Phys. Rev. B. 66:2002;115313.
34. Li A., Liu F., Lagally M.G. Phys. Rev. Lett. 85:2000;1922.
35. Tersoff J., Tromp R.M. Phys. Rev. Lett. 70:1993;2782.
36. Tersoff J., Denier Van der Gon A.W., Tromp R.M. Phys. Rev. Lett. 72:1994;266.
37. Esser M., Zoethout E., Zandvliet H.J.W., Wormeester H., Poelsema B. Surf. Sci. 552:2004;35.
38. Zandvliet H.J.W., Swartzentruber B.S., Wulfhekel W., Hattink B., Poelsema B. Phys. Rev. B. 57:1998;R6803.
39. Chambliss D.D., Johnson K.E. Phys. Rev. B. 50:1994;5012.
40. Siegert M. Phys. Rev. E. 53:1996;3209.
41. Bartelt M.C., Evans J.W. Phys. Rev. Lett. 75:1995;4250.
42. Lai Z.W., Das Sarma S. Phys. Rev. Lett. 66:1991;2348.
43. Zhang Z., Detch J., Metiu H. Phys. Rev. B. 48:1993;4972.
44. Ehrlich G., Hudda F.G. J. Chem. Phys. 44:1966.
45. Schwoebel R.L., Shipsey E.J. J. Appl. Phys. 37:1966;3682.
46. Dijkkamp D., Van Loenen E.L., Hoeven A.J., Dieleman J. J. Vac. Sci. Technol. A. 8:1990;218.
47. Mo Y.W., Kariotis R., Swartzentruber B.S., Webb M.B., Lagally M.G. J. Vac. Sci. Technol. A. 8:1990;201.
48. Zandvliet H.J.W. Phys. Rep. 388:2003;1.