Schottky behavior at InN-GaN interface

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 21, 2005, Pages 1-3

  Chen, N C ^a   Chang, P H ^a   Wang, Y N ^a   Peng, H C ^a   Lien, W C ^a   Shih, C F ^a   Chang, Chin An ^a   Wu, G M ^a  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; GALLIUM NITRIDE; INTERFACES (MATERIALS); RECTIFYING CIRCUITS; SCHOTTKY BARRIER DIODES;

BARRIER HEIGHTS; CONDUCTION-BAND; RECTIFYING BEHAVIOR; SCHOTTKY BARRIERS;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 27844513507     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2132538     Document Type: Article

References (17)

1. Q. Guo, O. Kato, and A. Yoshida, J. Appl. Phys. 73, 7969 (1993).
2. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
3. T. Inushima, V. V. Mamutin, V. A. Vekshin, S. V. Ivanov, T. Sakon, M. Motokawa, and S. Ohoya, J. Cryst. Growth 227, 481 (2001).
4. A. Yamamoto, T. Tanaka, K. Koide, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi A 194, 510 (2002).
5. J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, J. W. Ager III, S. X. Li, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Appl. Phys. 94, 4457 (2003).
6. C. A. Chang, C. F. Shih, N. C. Chan, P. H. Chang, and K. S. Liu, Physica C 1, 2559 (2004).
7. C. A. Chang, C. F. Shih, N. C. Chen, T. Y. Lin, and K. S. Liu, Appl. Phys. Lett. 85, 6131 (2004).
8. K. M. Yu, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz, W. Shan, J. W. Ager III, S. X. Li, R. E. Jones, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 86, 071910 (2005).
9. S. Gwo, C.-L. Wu, C.-H. Shen, W.-H. Chang, T. M. Hsu, J.-S. Wang, and J.-T. Hsu, Appl. Phys. Lett. 84, 3765 (2004).
10. H. Lu, W. J. Schaff, J. Hwang, H. Wu, G. Koley, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 79, 1489 (2001).
11. S. Yamaguchi, R. Izaki, N. Kaiwa, S. Sugimura, and A. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 84, 5344 (2004).
12. S. K. Lin, K. T. Wu, C. P. Huang, C. T. Liang, Y. H. Chang, Y. F. Chen, P. H. Chang, N. C. Chen, C. A. Chang, H. C. Peng, C. F. Shih, K. S. Liu, and T. Y. Lin, J. Appl. Phys. 97, 046101 (2005).
13. X. A. Cao, J. M. Teetsov, M. P. D'Evelyn, D. W. Merfeld, and C. H. Yan, Appl. Phys. Lett. 85, 7 (2004).
14. L. Wang, M. I. Nathan, T.-H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
15. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
16. J. H. Werner and H. H. Güttler, J. Appl. Phys. 69, 1522 (1991).
17. Q. Z. Liu, S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).