Fluorine-enhanced boron diffusion in germanium-preamorphized silicon

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 7, 2005, Pages

  Jacques, J M ^a   Jones, K S ^a   Robertson, L S ^b   Li Fatou, A ^b   Hazelton, C M ^b   Napolitani, E ^c   Rubin, L M ^d  

^a University of Florida   (United States)

^b TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

^c INFM   (Italy)

^d AXCELIS TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BORON ATOMS; ELEVATED TEMPERATURES; GERMANIUM-PREAMORPHIZED WAFERS; SILICON SUBSTRATE;

ANNEALING; ATOMS; BORON; CRYSTALLIZATION; DIFFUSION; FLUORINE; GERMANIUM COMPOUNDS; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; TEMPERATURE DISTRIBUTION;

SILICON WAFERS;

EID: 27144468058     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2084336     Document Type: Article

References (43)

1. D. F. Downey, J. W. Chow, E. Ishida, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 1263 (1998).
2. K. Ohyu, T. Itoga, and N. Natsuaki, Jpn. J. Appl. Phys.. 29 (3), 457 (1990).
3. L. S. Robertson, P. N. Warnes, K. S. Jones, S. K. Earles, M. E. Law, D. F. Downey, S. Falk, and J. Liu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 610, B4.2.1 (2001).
4. R. Duffy, Appl. Phys. Lett. 84, 4283 (2004).
5. J. M. Jacques, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 810, C10.3.1 (2004).
6. D. Lecrosnier, J. Paugam, and J. Gallou, Appl. Phys. Lett. 30, 323 (1977).
7. R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 54, 6879 (1983).
8. A. E. Michel, R. H. Kastl, S. R. Mader, B. J. Masters, and J. A. Gardner, Appl. Phys. Lett. 44, 404 (1984).
9. T. O. Sedgwick, A. E. Michel, V. R. Deline, S. A. Cohen, and J. B. Lasky, J. Appl. Phys. 63, 1452 (1988).
10. A. E. Michel, M. Numan, and W. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 53, 851 (1988).
11. M. Kase, M. Kimura, H. Mori, and T. Ogawa, Appl. Phys. Lett. 56, 1231 (1990).
12. J. M. Jacques, L. S. Robertson, K. S. Jones, M. E. Law, M. Rendon, and J. Bennett, Appl. Phys. Lett. 82, 3469 (2003).
13. M. H. Clark, K. S. Jones, T. E. Haynes, C. J. Barbour, K. G. Minor, and E. Andideh, Appl. Phys. Lett. 80, 4163 (2002).
14. S. Roorda, J. S. Custer, W. C. Sinke, J. M. Poate, D. C. Jacobson, A. Polman, and F. Spaepen, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 5960, 344 (1991).
15. T. Gebel, M. Voelskow, W. Skorupa, G. Mannino, V. Privitera, F. Priolo, E. Napolitani, and A. Carnera, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 186, 287 (2002).
16. H. Tsukamoto, Solid-State Electron. 43, 487 (1999).
17. G. Fortunato, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 186, 401 (2002).
18. M. H. Juang, F. S. Wan, H. W. Liu, K. L. Cheng, and H. C. Cheng, J. Appl. Phys. 71, 3628 (1992).
19. S. Baek, T. Jang, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 80, 2272 (2002).
20. M. H. Juang and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 60, 2092 (1992).
21. V. Privitera, C. Spinella, G. Fortunato, and L. Mariucci, Appl. Phys. Lett. 77, 552 (2000).
22. E. Napolitani, A. Coati, D. De Salvador, A. Carnera, S. Mirabella, S. Scalese, and F. Priolo, Appl. Phys. Lett. 79, 4145 (2001).
23. J. M. Jacques, L. S. Robertson, M. E. Law, K. S. Jones, M. J. Rendon, and J. Bennett, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 717, C.4.6.1 (2002).
24. E. Napolitani, A. Carnera, V. Privitera, and F. Priolo, Mater. Sci. Semicond. Process. 4, 55 (2001).
25. E. Napolitani, D. De Salvador, R. Storti, A. Carnera, S. Mirabella, and F. Priolo, Phys. Rev. Lett. 93, 055901 (2004).
26. J. F. Ziegler and J. P. Biersack, The Stopping and Range of Ions in Matter (SRIM-2000.4) (IBM Co., Maryland, 1999).
27. I. Suni, G. Goltz, M. G. Grimaldi, M. A. Nicolet, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 40, 269 (1982).
28. I. Suni, G. Goltz, M. A. Nicolet, and S. S. Lau, Thin Solid Films 93, 171 (1982).
29. I. Suni, U. Shreter, M. A. Nicolet, and J. E. Baker, J. Appl. Phys. 56, 273 (1984).
30. J. Faure, A. Claverie, L. Laanab, and P. Bonhomme, Mater. Sci. Eng., B 22, 128 (1994).
31. I. Suni, U. Shreter, M. A. Nicolet, and J. E. Baker, J. Appl. Phys. 56, 273 (1984).
32. W. Frentrup and A. Mertens, Physica B 208209, 389 (1995).
33. G. Hobler, A. Simionescu, L. Palmetshofer, C. Tian, and G. Stingeder, J. Appl. Phys. 77, 3697 (1995).
34. G. Hobler and G. Otto, Mater. Sci. Semicond. Process. 6, 1 (2003).
35. P. A. Thomas, M. H. Brodsky, D. Kaplan, and D. Lepine, Phys. Rev. B 18, 3059 (1978).
36. D. Kalpan, N. Sol, G. Velasco, and P. Thomas, Appl. Phys. Lett. 33, 440 (1978).
37. M. H. Brodsky and D. Kaplan, J. Non-Cryst. Solids 32, 431 (1979).
38. Ion Implantation Science and Technology, 2004 ed., edited by, J. F. Ziegler, (Ion Implantation Technology Co., New York, 2004), pp. 5-8-5-10.
39. A. C. Ajmera, G. A. Rozgonyi, and R. B. Fair, Appl. Phys. Lett. 52, 813 (1998).
40. J. Hattendorf, W. D. Zeitz, W. Schroder, and N. V. Abrosimov, Physica B 340-342, 858 (2003).
41. C. Chatillon, M. Allibert, and A. Pattoret, C. R. Seances Acad. Sci., Ser. C 280, 1505 (1975).
42. A. G. Gaydon, Dissociation Energies and Spectra of Diatomic Molecules, 3rd ed. (Chapman & Hall, London, 1968).
43. G. Verhaegen, F. E. Stafford, and J. Drowart, J. Chem. Phys. 40, 1622 (1964).