Characteristics of hafnium-aluminum-oxide thin films deposited by using atomic layer deposition with various aluminum compositions

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 47, Issue 3, 2005, Pages 501-507

  Koo, Jaehyoung ^a   Lee, Janghee ^a   Kim, Seokhoon ^a   Kim, Young Do ^a   Jeon, Hyeongtag ^a   Kim, Deok Soo ^a   Kim, Yangdo ^b  

^a Hanyang University   (South Korea)

^b Pusan National University   (South Korea)

Author keywords

Al 2O 3; ALD; Hafnium aluminum oxide; HfO 2; Interfacial layer

Indexed keywords

EID: 26644444366     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (22)

1. A. Khandelwal, H. Niimi, G. Lucovsky and H. Henry Lamb, J. Vac. Sci. Technol. 20, 1989 (2002).
2. P. A. Packan, Science 285, 2079 (1999).
3. M. Schulz, Nature 399, 729 (1999).
4. H. Fukuda, M. Yasuda and T. Iwabuchi, Appl. Phys. Lett. 61, 693 (1992).
5. M. Copel, M. A. Gribelyuk and E. P. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
6. A. I. Kingon, J. P. Maria and S. K. Streiffer, Nature 406, 1032 (2000).
7. C. Chaneliere, J. L. Autran, R. A. B. Devine and B. Balland, Mater. Sci. Eng. R 22, 269 (1998).
8. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
9. Y. Kim, J. Koo, J. Han, S. Choi, H. Jeon and C. Park, J. Appl. Phys. 92, 5443 (2002).
10. S. Gopalan, K. Onishi, R. Nieh, C. S. Kang, R. Choi, H. J. Cho, S. Krishna and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 4416 (2002).
11. J. Lee, J. Koo, H. S. Sim and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc. 44, 915 (2004).
12. A. Chin, C. C. Liao, C. H. Lu, W. J. Chen and C. Tsai, Symp. VLSI Tech. Dig. 135 (1999).
13. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
14. J. H. Lee, K. Koh, N. I. Lee, M. H. Cho, Y. K. Kim, J. S. Jeon, K. H. Cho, H. S. Shim, M. H. Kim, K. Fujihara, H. K. Kang and J. T. Moon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2000, 645 (2000).
15. S. Choi, J. Koo, Y. Kim and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc. 44, 35 (2004).
16. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W-J. Qi and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
17. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
18. S. H. Bae, C. H. Lee, R. Clark and D. L. Kwong, IEEE Electron Dev. Lett. 24, 556 (2003).
19. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa and D. L. Kwong, IEDM Tech Dig. 857 (2002).
20. W. J. Zhu, T. Tamagawa, M. Gibson, T. Furukawa and T. P. Ma, IEEE Electron Dev. Lett. 23, 649 (2002).
21. R. S. Johnson, J. G. Hong, C. Hinkle and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1126 (2002).
22. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D-L. Kwong, J. S. Pan, C. H. Ang, J. Z. Zheng and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 376 (2002).