Electroreflectance studies of Stark shifts and polarization-induced electric fields in InGaN/GaN single quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 9, 2004, Pages 4905-4913

  Kaplar, R J ^a   Kurtz, S R ^a   Koleske, D D ^a   Fischer, A J ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACTED ELECTROREFLECTANCE (CER); REVERSE BIAS VOLTAGE; SINGLE QUANTUM WELL (SQM); STARK SHIFTS;

BAND STRUCTURE; CALIBRATION; ELECTRIC FIELDS; ELECTRIC POTENTIAL; FERMI LEVEL; LIGHT EMITTING DIODES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; POISSON DISTRIBUTION; POLARIZATION; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SIMULATORS; THERMAL EFFECTS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 2442417923     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1690100     Document Type: Article

References (38)

1. F. H. Pollack and H. Shen, Mater. Sci. Eng., R 10, 275 (1993).
2. H. Kollmer, J. S. Im, S. Heppel, F. Scholz, and A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 74, 82 (1999).
3. S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. P. Mack, M. S. Minsky, T. Deguchi, D. Cohen, P. Kozodoy, S. B. Fleischer, S. Keller, J. S. Speck, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, K. Wada, T. Sota, and S. Nakamura, Mater. Sci. Eng., B 59, 298 (1999).
4. T. Takeuehi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, and N. Yamada, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
5. C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2425 (2000).
6. C. Wetzel, T. Takeuehi, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 62, R13302 (2000).
7. B. Monemar, P. P. Paskov, H. Haratizadeh, P. O. Holtz, J. P. Bergman, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi A 195, 523 (2003).
8. C. Y. Lai, T. M. Hsu, W. H. Chang, K. U. Tseng, C. M. Lee, C. C. Chuo, and J. I. Chyi, J. Appl. Phys. 91, 531 (2002).
9. D. D. Koleske, A. J. Fischer, A. A. Allerman, C. C. Mitchell, K. C. Cross, S. R. Kurtz, J. J. Figiel, K. W. Fullmer, and W. G. Breiland, Appl. Phys. Lett. 81, 1940 (2002).
10. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
11. P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 87, 770 (2000).
12. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. A. Burrus, Phys. Rev. B 32, 1043 (1985).
13. O. J. Glembocki and B. V. Shanabrook, in Semiconductors and Semimetals (Academic, San Diego, 1992), Vol. 36, p. 221.
14. I. H. Tan, G. L. Snider, L. D. Chang, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 4071 (1990).
15. F. Gelbard and K. J. Malloy, J. Comput. Phys. 172, 19 (2001).
16. W. Götz, N. M. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, Appl. Phys. Lett. 68, 3144 (1996).
17. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
18. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997).
19. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
20. S. H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).
21. A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
22. M. Suzuki and T. Uenoyama, Solid-State Electron. 41, 271 (1997).
23. F. Della Sala, A. Di Carlo, P. Lugli, F. Bernardini, V. Fiorentini, R. Scholz, and J. M. Jancu, Appl. Phys. Lett. 74, 2002 (1999).
24. O. Mayrock, H. J. Wünsche, and F. Henneberger, Phys. Rev. B 62, 16870 (2000).
25. E. Burstein, Phys. Rev. 93, 632 (1954).
26. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
27. G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, and L. Esaki, Phys. Rev. B 26, 1974 (1982).
28. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
29. J. A. Brum and G. Bastard, Phys. Rev. B 31, 3893 (1985).
30. S. Hess, R. A. Taylor, J. F. Ryan, B. Beaumont, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 73, 199 (1998).
31. F. Binet, J. Y. Duboz, J. Off, and F. Scholz, Phys. Rev. B 60, 4715 (1999).
32. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
33. S. Chichibu, K. Wada, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 71, 2346 (1997).
34. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. van der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
35. D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).
36. A. Chantre, G. Vincent, and D. Bois, Phys. Rev. B 23, 5335 (1981).
37. E. S. Jeon, V. Kozlov, Y. K. Song, M. Kuball, A. V. Nurmikko, H. Liu, C. Chen, R. S. Kern, C. P. Kuo, and M. G. Craford, Appl. Phys. Lett. 69, 4194 (1996).
38. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).