Micro-Raman and photoluminescence studies of neutron-irradiated gallium nitride epilayers

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 3, 2005, Pages

  Wang, R X ^a   Xu, S J ^a   Fung, S ^a   Beling, C D ^a   Wang, K ^a   Li, S ^a   Wei, Z F ^a   Zhou, T J ^a   Zhang, J D ^a   Huang, Ying ^a   Gong, M ^b  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b SICHUAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GAN EPILAYERS; MICRO-RAMAN; NEUTRON DOSAGES; SAPPHIRE SUBSTRATE;

NEUTRON IRRADIATION; NEUTRONS; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SCATTERING; SAPPHIRE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 24144476290     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1999011     Document Type: Article

References (25)

1. H. Harima, H. Sakashita, T. Inoue, and S. Nakashima, J. Cryst. Growth 189, 672 (1998).
2. N. Wieser, M. Klose, R. Dassow, F. Scholz, and J. Off, J. Cryst. Growth 189, 661 (1998).
3. D. Meister, M. Böhm, M. Topf, W. Kriegseis, W. Burkhardt, I. Dirntorfer, S. Rösel, B. Frangis, B. K. Myer, A. Hoffmann, H. Siegle, C. Thomsen, J. Christen, and F. Bertram, J. Appl. Phys. 88, 1811 (2000).
4. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
5. F. D. Aurent, S. D. Goodman, F. K. Koschnick, J. M. Spaeth, B. Beaumont, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 74, 2173 (1999).
6. Y. K. Su, F. S. Juang, and M.-H. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 2257 (2003).
7. M. Coeck, N. Balcaen, T. Van Hoecke, B. Van Waeyenberge, D. Segers, C. Dauwe, and C. Laermana, J. Appl. Phys. 87, 3674 (2000).
8. J. G. Williams, J. U. Patel, A. M. Ougouag, and S. Y. Yang, J. Appl. Phys. 70, 4931 (1991).
9. G. E. Brehm and G. L. Pearson, J. Appl. Phys. 43, 568 (1972).
10. M. Satoh, K. Kuriyama, and T. Kawakubo, J. Appl. Phys. 67, 3542 (1990).
11. M. Palczewska, J. Jasinski, K. Korona, M. Kaminska, E. D. Bourrent, and A. G. Elliot, J. Appl. Phys. 78, 3680 (1995).
12. B. Mari, M. A. Hernandez-Fenollosa, and F. J. Navarro, J. Appl. Phys. 89, 7772 (2001).
13. K. Kuriyama, T. Tokumasu, J. Takahashi, H. Kondo, and M. Okada, Appl. Phys. Lett. 80, 3328 (2002).
14. C. W. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1821 (2002).
15. S. J. Xu, H. J. Wang, S. H. Cheung, Q. Li, X. Q. Dai, M. H. Xie, and S. Y. Tong, Appl. Phys. Lett. 83, 3477 (2003).
16. D. G. Zhao, S. J. Xu, M. H. Xie, S. Y. Tong, and H. Yang, Appl. Phys. Lett. 83, 677 (2003).
17. W. Gotz, N. M. Johnson, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 65, 463 (1994).
18. H. Harima, S. Nakashima, and T. Uemura, J. Appl. Phys. 78, 1996 (1995).
19. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994).
20. H. Harima, J. Phys.: Condens. Matter 14, R967 (2002).
21. M. Senthil, R. Kesavamoorthy, and P. Magudapathy, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 179, 193 (2001).
22. A. Castaldini, A. Cavallini, and L. Polenta, J. Phys.: Condens. Matter 12, 10161 (2000).
23. J. Y. Shi, L. P. Yu, Y. Z. Wang, G. Y. Zhang, and H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 80, 2293 (2002).
24. P. Boguslawski and J. Bernholc, Phys. Rev. B 56, 9496 (1997).
25. S. J. Xu, G. Li, S. J. Chua, X. C. Wang, and W. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 2451 (1998).