Observation of optically-active metastable defects in undoped GaN epilayers

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 19, 1998, Pages 2451-2453

  Xu, S J ^a   Li, G ^a   Chua, S J ^a   Wang, X C ^a   Wang, W ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001715851     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121379     Document Type: Article

References (27)

1. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors: Physics and Material Properties (Springer, Berlin, 1996), p. 149.
2. S. Nakamura, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 435 (1997).
3. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
4. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
5. J. I. Pankove and J. A. Hutchby, J. Appl. Phys. 47, 5387 (1976).
6. T. Ogino and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
7. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, Jr., M. Asif Kahn, D. T. Olson, J. N. Kuznia, and D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13326 (1995).
8. D. M. Hofmann, D. Kovaler, G. Steude, B. K. Meyer, A. Hoffmann, L. Eckey, R. Hertz, T. Detchprom, A. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 52, 16702 (1995).
9. E. F. Schubert, I. D. Goepfert, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 3224 (1997).
10. W. Grieshaber, E. F. Schubert, I. D. Goepfert, R. F. Karlicek, Jr., M. J. Schurman, and C. Tran, J. Appl. Phys. 80, 4615 (1996).
11. A. Billeb, W. Grieshaber, D. Stocker, E. F. Schubert, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 70, 2790 (1997).
12. M. Tajima, in Defects and Properties of Semiconductors: Defect Engineering, edited by J. Chikawa, K. Sumino, and K. Wada (KTK Scientific, Tokyo, 1987), p. 39.
13. G. Li, S. J. Chua, and W. Wang (unpublished).
14. W. Götz, N. M. Johnson, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 65, 463 (1994).
15. W. I. Lee, T. C. Huang, J. D. Guo, and M. S. Feng, Appl. Phys. Lett. 67, 1721 (1995).
16. P. Hacke, H. Nakayama, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 68, 1362 (1996).
17. W. Götz, N. M. Johnson, R. A. Street, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 66, 1340 (1995).
18. I. K. Shmagin, J. F. Muth, J. H. Lee, R. M. Kolbas, C. M. Balkas, Z. Sitar, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 455 (1997).
19. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
20. G. Beadie, W. S. Rabinovich, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, S. C. Binari, and J. A. Freitas, Jr., Appl. Phys. Lett. 71, 1092 (1997).
21. M. T. Hirsch, J. A. Wolk, W. Walukiewicz, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 71, 1098 (1997).
22. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, J. Appl. Phys. 82, 899 (1997).
23. C. H. Qiu and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 70, 1983 (1997).
24. C. Johnson, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 1808 (1996).
25. D. C. Look, Z.-Q. Fang, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 3775 (1996).
26. F. Binet, J. Y. Duboz, E. Rosencher, F. Scholz, and V. Harle, Appl. Phys. Lett. 69, 1202 (1996).
27. C. H. Qiu, W. Melton, M. W. Leksono, J. I. Pankove, B. P. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 69, 1282 (1996).