Photoluminescence of highly porous nanostructured Si-based thin films deposited by pulsed laser ablation

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 2, 2005, Pages

  Yang, D Q ^a   Ethier, V ^a   Sacher, E ^a   Meunier, M ^a  

^a ÉCOLE POLYTECHNIQUE DE MONTRÉAL   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AIR OXIDATION; EXCIMER LASER ABLATION; FILM COMPOSITION; HIGHLY POROUS SILICA;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; EXCIMER LASERS; FOURIER TRANSFORMS; LASER ABLATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OXIDATION; PHOTOACOUSTIC SPECTROSCOPY; PHOTOLUMINESCENCE; POROUS SILICON; PULSED LASER DEPOSITION; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

THIN FILMS;

EID: 23844544192     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1985971     Document Type: Article

References (71)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
2. Z. Wang, H. Wang, A. Mitra, L. Huang, and Y. Yan, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 13, 746 (2001).
3. I. Fisher, W. D. Kaplan, and M. Eizenberg, J. Appl. Phys. 95, 5762 (2004).
4. D.-Q. Yang, M. Meunier, and E. Sacher, Appl. Surf. Sci. (in press).
5. S. Hayashi, S. Tanimoto, and K. Yamamoto, J. Appl. Phys. 68, 5300 (1990).
6. Y. Kanemitsu, Phys. Rep. 263, 1 (1995).
7. G. Ledoux, O. Guillois, D. Porterat, C. Reynaud, F. Huisken, B. Kohn, and V. Paillard, Phys. Rev. B 62, 15942 (2000).
8. A. G. Gullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
9. S. M. Prokes, Appl. Phys. Lett. 62, 3244 (1993).
10. K. S. Min, K. V. Shcheglov, C. M. Yang, H. A. Awater, M. L. Brongersma, and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 69, 2033 (1996).
11. S. M. Prokes and W. E. Carlos, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.360716 78, 2671 (1992)
12. S. M. Prokes and O. J. Glembocki, Phys. Rev. B 49, 2238 (1994).
13. L. N. Dinh, L. L. Chase, M. Balooch, L. J. Terminello, and F. Wooten, Appl. Phys. Lett. 65, 3111 (1994).
14. T. Torchynska, Physica B 308, 1108 (2002).
15. F. Koch, V. Petrova-Koch, and T. Muschik, J. Lumin. 57, 271 (1993).
16. R. Laiho and A. Pavlov, Phys. Rev. B 54, 14774 (1995).
17. M. V. Wolkin, J. Jorne, P. M. Fauchet, G. Allan, and C. Delerue, Phys. Rev. Lett. 82, 197 (1999).
18. R. E. Hummel and S.-S. Chang, Appl. Phys. Lett. 61, 1965 (1992); R. E. Hummel, in Silicon-Based Materials and Devices, edited by, H. S. Nalwa, (Academic, New York, 2001), Chap..
19. R. E. Hummel and S.-S. Chang, Appl. Phys. Lett. 61, 1965 (1992); R. E. Hummel, in Silicon-Based Materials and Devices, edited by, H. S. Nalwa, (Academic, New York, 2001), Chap..
20. C. Wu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1358846 78, 1850 (2001);
21. R. E. Hummel, M. E. Stora, N. Shepherd, S. Yu, and F. Fajard, J. Porous Mater. 1380-2224 7, 131 (2000);
22. A. V. Kabashin, and M. Meunier, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1557752 82, 1619 (2003); D.-Q. Yang, E. Sacher, and M. Meunier, Proc. SPIE 5578, 652 (2004).
23. C. Wu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1358846 78, 1850 (2001); R. E. Hummel, M. E. Stora, N. Shepherd, S. Yu, and F. Fajard, J. Porous Mater. 1380-2224 7, 131 (2000); A. V. Kabashin, and M. Meunier, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1557752 82, 1619 (2003); D.-Q. Yang, E. Sacher, and M. Meunier, Proc. SPIE 5578, 652 (2004).
24. E. Werwa, A. A. Seraphin, L. A. Chiu, C. Zhou, and K. D. Kolenbrander, Appl. Phys. Lett. 64, 1821 (1994).
25. I. A. Movtchan, R. W. Dreyfus, W. Marine, M. Sentis, M. Autric, G. Le Lay, and N. Merk, Thin Solid Films 255, 286 (1995).
26. Y. Yamada, T. Orii, I. Umezu, S. Takeyama, and T. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1361 (1996).
27. T. Makimura, Y. Kunii, and K. Murakami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 4780 (1996).
28. L. Patrone, D. Nelson, V. I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, and S. Giorgio, J. Appl. Phys. 87, 3829 (2000).
29. A. V. Kabashin, J.-P. Sylvestre, S. Patskovsky, and M. Meunier, J. Appl. Phys. 91, 3248 (2002).
30. A. V. Kabashin, M. Meunier, and R. Leonelli, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2217 (2001).
31. W. Marine, L. Patrone, B. Luk'yanchuk, and M. Sentis, Appl. Surf. Sci. 154155, 345 (2000).
32. T. Makimura, Y. Kunii, N. Ono, and K. Murakami, Appl. Surf. Sci. 127129, 388 (1998).
33. S. V. Deshpande, E. Gulari, S. W. Brown, and S. C. Rand, J. Appl. Phys. 77, 6534 (1995).
34. K. Watanabe, K. Sawada, M. Koshiba, M. Fujii, and S. Hayashi, Appl. Surf. Sci. 197, 635 (2002).
35. K. Yamaguchi, K. Mizushima, and K. Sassa, Appl. Phys. Lett. 77, 3773 (2000).
36. D.-Q. Yang, M. Meunier, and E. Sacher, J. Appl. Phys. (submitted).
37. A. Rosencwaig and A. Gersho, J. Appl. Phys. 47, 64 (1976).
38. J. Pelzl, K. Klein, and O. Hordhaus, Appl. Opt. 21, 94 (1982).
39. F. A. McDonald and J. C. Wetsel, Jr., J. Appl. Phys. 49, 2313 (1978).
40. S. J. McGovern, B. S. H. Royce, and J. B. Benziger, J. Appl. Phys. 57, 1710 (1985).
41. J. A. Theil, D. V. Tsu, M. W. Watkins, S. S. Kim, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1374 (1990).
42. A. Brunet-Bruneau, D. Souche, S. Fisson, V. N. Van, G. Vuye, F. Abeles, and J. Rivory, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2281 (1998).
43. S.-T. Li, S. J. Silvers, and M. S. El-Shall, J. Phys. Chem. 101, 1794 (1997).
44. R. R. Koropecki and R. Arce, J. Appl. Phys. 60, 1802 (1986).
45. G. Lucovsky, J. Yang, S. S. Chao, J. E. Tyler, and W. Czubatyi, Phys. Rev. B 28, 3225 (1983).
46. M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami, Y. Itoh, and T. Nozaki, Solid State Commun. 50, 1079 (1984).
47. E. Ritter, Opt. Acta 19, 197 (1962).
48. D. A. Anderson, G. Moddel, M. A. Paesler, and W. Paul, J. Vac. Sci. Technol. 16, 906 (1979).
49. A. L. Shabalov and M. S. Feldman, Thin Solid Films 110, 215 (1983).
50. W. R. Knolle, H. R. Maxwell, Jr., and R. E. Benenson, J. Appl. Phys. 51, 4385 (1980).
51. M. Zacharias, D. Dimova-Malinovska, and M. Stutzmann, Philos. Mag. B 1364-2812 73, 799 (1996)
52. B. Gelloz and N. Koshida, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1290458 88, 4319 (2000);
53. L. X. Yi, J. Heitman, R. Scholz, and M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 81, 4248 (2002).
54. D.-Q. Yang, A. V. Kabashin, M. Meunier, and E. Sacher, J. Appl. Phys. 95, 5722 (2004).
55. H. Tamura, M. Rückschloss, T. Wirschem, and S. Vepřek, Appl. Phys. Lett. 65, 1537 (1994).
56. L. T. Canham, Thin Solid Films 276, 112 (1996).
57. O. Hanaizumi, K. Ono, and Y. Ogawa, Appl. Phys. Lett. 82, 538 (2003).
58. D.-P. Yu, Phys. Rev. B 59, R2498 (1999).
59. C. Wu, C. H. Crouch, L. Zhao, and E. Mazur, Appl. Phys. Lett. 81, 1999 (2002).
60. K. Tanimura, C. Itoh, and N. Itoch, J. Phys. C 21, 1869 (1988).
61. T. Shuimizu-Iwayama, S. Nakao, and K. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
62. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, A. Gambhir, L. F. Di Mauro, and C. E. Bottani, J. Appl. Phys. 79, 8660 (1996).
63. A. J. Kenyon, P. F. Trwoga, C. W. Pitt, and G. Rehm, J. Appl. Phys. 79, 9291 (1996).
64. N. F. Mott and E. A. Davis, Electron Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon, Oxford, 1979), p. 121.
65. J. M. Ziman, Models of Disorder (Cambridge University Press, Cambridge, 1979), p. 220.
66. Y. D. Glinka, S.-H. Lin, and Y.-T. Chen, Phys. Rev. B 66, 35404 (2002).
67. I. Umezu, K. Yoshida, N. Sakamoto, T. Murota, Y. Takashima, M. Inada, and A. Sugimura, J. Appl. Phys. 91, 2009 (2002).
68. K. Yoshida, I. Umezu, N. Sakamoto, M. Inada, and A. Sugimura, J. Appl. Phys. 92, 5936 (2002).
69. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, K. S. Zhuravlev, N. A. Volodin, A. K. Gutakovsky, A. F. Leier, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 127128, 583 (1997); V. G. Kesler, S. G. Yanovskaya, G. A. Kachurin, A. F. Leier, and L. M. Logvinsky, Surf. Interface Anal. 33, 914 (2002).
70. G. A. Kachurin, I. E. Tyschenko, K. S. Zhuravlev, N. A. Volodin, A. K. Gutakovsky, A. F. Leier, W. Skorupa, and R. A. Yankov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 0168-583X 127128, 583 (1997); V. G. Kesler, S. G. Yanovskaya, G. A. Kachurin, A. F. Leier, and L. M. Logvinsky, Surf. Interface Anal. 33, 914 (2002).
71. Z.-Y. Xu, M. Gal, and M. Gross, Appl. Phys. Lett. 60, 1375 (1992).