One-step preparation of coaxial CdS-ZnS and Cd1-xZn xS-ZnS nanowires

Advanced Functional Materials

Volumn 15, Issue 8, 2005, Pages 1350-1357

  Hsu, Yung Jung ^a   Lu, Shih Yuan ^a   Lin, Yi Feng ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CADMIUM COMPOUNDS; ELECTRONIC STRUCTURE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SPECTROMETRY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ZINC SULFIDE;

COAXIAL NANOSTRUCTURES; ELECTRONIC STATES; NANOWIRES; SEQUENTIAL GROWTH;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 23744439853     PISSN: 1616301X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200400563     Document Type: Article

References (72)

1. a) M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang, Science 2001, 292, 1897.
2. b) J. X. Ding, J. A. Zapien, W. W. Chen, Y. Lifshitz, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2361.
3. J. Wang, M. S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui, C. M. Lieber, Science 2001, 293, 1455.
4. a) Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, H. Yan, Adv. Mater. 2003, 15, 353.
5. b) Z. R. Dai, Z. W. Pan, Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 9.
6. a) L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, D. Wang, C. M. Lieber, Nature 2002, 420, 57.
7. b) Q. Li, C. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 9892.
8. c) J. Zhang, L. Zhang, F. Jiang, Y. Yang, J. Li, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 151.
9. a) M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith, C. M. Lieber, Nature 2002, 415, 617.
10. b) Y. Wu, R. Fan, P. Yang, Nano Lett. 2002, 2, 83.
11. c) M. T. Björk, B. J. Ohlsson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. R. Wallenberg, L. Samuelson, Nano Lett. 2002, 2, 87.
12. a) K.-K. Lew, L. Pan, E. C. Dickey, J. M. Redwing, Adv. Mater. 2003, 15, 2073.
13. b) J. Jie, G. Wang, X. Han, J. Fang, Q. Yu, Y. Liao, B. Xu, Q. Wang, J. G. Hou, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 8249.
14. c) J. Zhan, Y. Bando, J. Hu, T. Sekiguchi, D. Golberg, Adv. Mater. 2005, 17, 225.
15. a) Y. Xie, P. Yan, J. Lu, Y. Qian, S. Zhang, Chem. Commun. 1999, 1969.
16. b) J. Cao, J.-Z. Sun, H.-Y. Li, J. Hong, M. Wang, J. Mater. Chem. 2004, 14, 1203.
17. c) X. Liang, S. Tan, Z. Tang, N. A. Kotov, Langmuir 2004, 20, 1016.
18. d) S. J. An, W. I. Park, G.-C. Yi, Y.-J. Kim, H.-B. Kang, M. Kim, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3612.
19. e) S. Han, C. Li, Z. Liu, B. Lei, D. Zhang, W. Jin, X. Liu, T. Tang, C. Zhou, Nano Lett. 2004, 4, 1241.
20. f) J. Hwang, B. Min, J. S. Lee, K. Keem, K. Cho, M.-Y. Sung, M.-S. Lee, S. Kim, Adv. Mater. 2004, 16, 422.
21. a) H.-M. Lin, Y.-L. Chen, J. Yang, Y.-C. Liu, K.-M. Yin, J.-J. Kai, F.-R. Chen, L.-C. Chen, Y.-F. Chen, C.-C. Chen, Nona Lett. 2003, 3, 537.
22. b) J.-R. Kim, B.-K. Kim, J.-O. Lee, J. Kim, H. J. Seo, C. J. Lee, J.-J. Kim, Nanotechnology 2004, 15, 1397.
23. a) J. L. Gole, J. D. Stout, W. L. Rauch, Z. L. Wang; Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2346.
24. b) X. Y. Kong, Y. Ding, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 570.
25. a) R. Ma, Y. Bando, Chem. Mater. 2002, 14, 4403.
26. b) Y. Li, Y. Bando, D. Golberg, Adv. Mater. 2003, 15, 581.
27. c) J. Hu, Y. Bando, Z. Liu, Adv. Mater. 2003, 15, 1000.
28. d) Y. B. Li, Y. Bando, D. Golberg, Chem. Phys. Lett. 2003, 375, 102.
29. e) Y.-C. Zhu, Y. Bando, D.-F. Xue, D. Golberg, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 16196.
30. f) Y. Li, Y. Bando, D. Golberg, Adv. Mater. 2004, 16, 93.
31. a) X.-M. Meng, J.-Q. Hu, Y. Jiang, C.-S. Lee, S.-T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2241.
32. b) J. Q. Hu, Q. Li, X. M. Meng, C. S. Lee, S. T. Lee, Chem. Mater. 2003, 15, 305.
33. a) M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, P. Yang, Adv. Mater. 2001, 13, 113.
34. b) X. Duan, C. M. Lieber, Adv. Mater. 2000, 12, 298.
35. c) C. J. Barrelet, Y. Wu, D. C. Bell, C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 11498.
36. d) T. Kuykendall, P. Pauzauskie, S. Lee, Y. Zhang, J. Goldberger, P. Yang, Nano Lett. 2003, 3, 1063.
37. e) Q. Xiong, G. Chen, J. D. Acord, X. Liu, J. J. Zengel, H. R. Gutierrez, J. M. Redwing, L. C. Lew Yan Voon, B. Lassen, P. C. Eklund, Nano Lett. 2004, 4, 1663.
38. f) L. Dong, T. Gushtyuk, J. Jiao, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 1617.
39. a) A. Wang, J. Dai, J. Cheng, M. P. Chudzik, T. J. Marks, R. P. H. Chang, C. R. Kannewurf, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 327.
40. b) D. L. Young, D. L. Williamson, T. J. Coutts, J. Appl. Phys. 2002, 91, 1464.
41. a) B. A. Korgel, H. G. Monbouquette, Langmuir 2000, 16, 3588.
42. b) X. Zhong, M. Han, Z. Dong, T. J. White, W. Knoll, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 8589.
43. a) D. V. Petrov, B. S. Santos, G. A. L. Pereira, C. D. M. Donegá, J. Phys. Chem. B 2002, 106, 5325.
44. b) X. Zhong, Y. Feng, W. Knoll, M. Han, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 13 559.
45. a) S. C. Ray, M. K. Karanjai, D. DasGupta, Thin Solid Films 1998, 322, 117.
46. b) M. E. Rincón, M. W. Martínez, M. Miranda- Hernández, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2003, 77, 25.
47. a) S.-Y. Lu, S.-W. Chen, J. Am. Ceram. Soc. 2000, 83, 709.
48. b) Y.-J. Hsu, S.-Y. Lu, Langmuir 2004, 20, 194.
49. a) R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
50. b) Y. Wu, P. Yang, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 3165.
51. Y.-J. Hsu, S.-Y, Lu, Chem. Commun. 2004, 2102.
52. a) R. He, M. Law, R. Fan, F. Kim, P. Yang, Nano Lett. 2002, 2, 1109.
53. b) J. Hu, Y. Bando, Z. Liu, T. Sekiguchi, D. Golberg, J. Zhan, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 11306.
54. a) S.-Y. Lu, M.-L. Wu, H.-L. Chen, J. Appl. Phys. 2003, 93, 5789.
55. b) Y.-J. Hsu, S.-Y. Lu, Langmuir 2004, 20, 23.
56. a) L. Manna, E. C. Scher, L.-S. Li, A. P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 7136.
57. b) T. Mokari, U. Banin, Chem. Mater. 2003, 15, 3955.
58. Y. Ding, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 2004, 108, 12 280.
59. P. Kumar, A. Misra, D. Kumar, N. Dhama, T. P. Sharma, P. N. Dixit, Opt. Mater. 2004, 27, 261.
60. R. Hill, J. Phys. C1974, 7, 521.
61. a) L. G. Suslina, E. I. Danasyuk, S. G. Konnikov, D. L. Federov, Sov. Phys. Semicond. 1976, 10, 1093.
62. b) L. I. Berger, Semiconductor Materials, CRC Press, Boca Raton, FL 1997.
63. a) M. O'Neil, J. Marohn, G. McLendon, J. Phys. Chem. 1990, 94, 4356.
64. b) J. Butty, N. Peyghambarian, Y. H. Kao, J. D. Mackenzie, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 3224.
65. M. Nirmal, L. Brus, Acc. Chem. Res. 1999, 32, 407.
66. a) D. Denzler, M. Olschewski, K. Sattler, J. Appl. Phys. 1998, 84, 2841.
67. b) N. Pinna, K. Weiss, J. Urban, M.-P. Pileni, Adv. Mater. 2001, 13, 261.
68. K.-W. Chang, J.-J. Wu, Adv. Mater. 2004, 16, 545.
69. a) M. S. Gudiksen, C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 8801.
70. b) Y.-J. Hsu, S.-Y. Lu, Appl. Phys. A, 2005, 81, 573.
71. a) P. O'Brien, J. R. Walsh, I. M. Watson, L. Hart, S. R. P. Silva, J. Cryst. Growth 1996, 167, 133.
72. b) M. Motevalli, P. O'Brien, J. R. Walsh, I. M. Watson, Polyhedron 1996, 15, 2801.