Epitaxial heterostructures: Side-to-side Si-Zns, Si-ZnSe biaxial nanowires, and sandwichlike Zns-Si-Zns triaxial nanowires

Journal of the American Chemical Society

Volumn 125, Issue 37, 2003, Pages 11306-11313

  Hu, Junqing ^a   Bando, Yoshio ^a   Liu, Zongwen ^a   Sekiguchi, Takashi ^a   Golberg, Dmitri ^a   Zhan, Jinhua ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

SEMICONDUCTING COMPOSITE NANOWIRES;

CATHODOLUMINESCENCE; EPITAXIAL GROWTH; EVAPORATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; ZINC SULFIDE;

SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS;

NANOPARTICLE; SELENIUM; SILICON; ZINC;

ANALYTIC METHOD; ARTICLE; BILAYER MEMBRANE; CHEMICAL STRUCTURE; LIGHT EMITTING DIODE; LUMINESCENCE; POLARIZATION; SEMICONDUCTOR; STRUCTURE ANALYSIS; THERMAL ANALYSIS;

EID: 0041691349     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja030235l     Document Type: Article

References (41)

1. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley-Interscience: New York, 1981
2. Hu, J. T.; Ouyang, M.; Yang, P. D.; Lieber, C. M. Nature 1999, 399, 48-51.
3. Cui, Y.; Lieber. C. M. Science 2001, 291, 851-853.
4. Cui, Y.; Wei, Q. Q.; Park. H. K.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1289-1292.
5. Duan, X. F.; Huang, Y.; Cui, Y.; Wang, J. E.; Lieber, C. M. Nature 2001, 409, 66-69.
6. Huang, Y.; Duan, X. F.; Cui, Y.; Lauhon, L. J.; Kim, K. H.; Lieber, C. M. Science 2001, 294, 1313-1317.
7. Lieber, C. M. Nano Lett., 2002, 2, 81-82.
8. Björk, B. T.; Ohlsson, B. J.; Sass, T.; Persson, A. I.; Thelander. C.; Magnusson, M. H.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1058-1060.
9. Björk, M. T.; Ohlsson, B. J.; Sass, T.; Persson, A. I.; Thelander, C.; Magnusson, K.; Deppert, M. H.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Nano Lett. 2002, 2, 87.
10. Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, J.; Smith, D. C.; Lieber, C. M. Nature 2002, 415, 617-620.
11. Wu, Y.; Fan, R.; Yang, P. Nano Lett. 2002, 2, 83-86.
12. He, R.; Law, M.; Fan, R.; Kim, F.; Yang, P. Nano Lett. 2002, 2, 1109-1112.
13. Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Wang, D. L.; Lieber, C. M. Nature 2002. 420, 57-61.
14. Thioulouse, P. J. Cryst. Growth 1985, 72, 545-552.
15. Nakano, R.; Matsumoto, H.; Endo, T.; Shimada, J.; Sakagami, N.; Miura, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1988, 27, L2103-L2104.
16. Haase, M. A.; Qiu, J.; Depuydt, J. M.; Cheng, H. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 1272-1274.
17. Xie, W.; Grillo, D. C.; Gunshor, R. L.; Kobayashi, M.; Hua, G. C.; Otsuka, N. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 463-465.
18. Ma, D. D. D.; Lee, C. S.; Au, F. C. K.; Tong, S. Y.; Lee, S. T. Science 2003, 299, 1874-1877.
19. Wang, N., Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Phys. Rev. B 1998, 58, R16024-R16026.
20. Lee, S. T.; Zhang, Y. F.; Wang, N.; Tang, Y, H.; Bello, I.; Lee, C. S. J. Mater. Res. 1999, 14, 4503-4507.
21. Shi, W. S.; Peng, H. Y.; Xu, L.; Wang, N.; Tang. Y. H.; Lee, S. T. Adv. Mater. 2000, 12, 1927-1930.
22. Golberg, D.; Bando. Y.; Bourgeois, L.; Kurashima, K.; Sato. T. Carbon 2000, 38, 2017-2027.
23. Han, W. Q.; Bando, Y.; Kurashima. K.; Sato, T. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3085-3087-3089.
24. Tadanori, Y.; Masahiro, K.; Motoi. K.; Koji, N.; Makoto, S. J. Electron Microsc. 1995, 44, 488.
25. Wang, Z. L.; Dai, Z. R.; Gao, R. P.; Bai, Z. G.; Gole, J. L. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3349-3351.
26. Sun, X. H.; Li, C. P.; Wong, W. K.; Wong, N. B.; Lee, C. S.; Lee, S. T.; Teo, B. K. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 14464-14471.
27. Morales A, M.; Lieber, C. M. Science 1998, 279, 208-211.
28. Gole, J. L.; Stout, J. D.; Rauch, W. L.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2346-2348.
29. Weser, T.; Bogen, A.; Konard, B.; Schnell, R. D.; Schug, C. A.; Steinmann, W. In Proceedings of the Eighteenth International Conference on the Physics of Semiconductors, Stockholm, Sweden, 1986: Engström, O., Ed.; World Scientific: Singapore. 1987; pp 97-100.
30. Bringans, R. D.; Olmstead, M. A. Phys. Rev. B 1989, 39, 12985-12988.
31. Bringans, R. D.; Biegelsen, D. K.; Swartz, L.-E.; Ponce, F. A.; Tramontana, J. C. Phys. Rev. B 1992, 45, 13400-13406.
32. Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Peng, H. Y.; Wang. N.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1842-1844.
33. Jiang, X. C.; Xie, Y.; Lu, J.; Zhu, L. Y.; He, W.; Qian, Y. T. Chem. Mater. 2001, 13, 1213-1218.
34. Wang, X. D.; Gao, P. X.; Li, J.; Summers, C. J.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2002, 14, 1732-1735.
35. Zhang, R. Q.; Lee, S. T.; Law, C.-K.; Li, W.-K.; Teo, B. K. Chem. Phys. Lett. 2002, 364, 251-258.
36. Romano, L. T.; Bringans, R. D.; Zhou, X.; Kirk, W. P. Phys. Rev. B. 1995, 52, 11201-11205.
37. Zhou, X.; Jiang, S.; Kirk, W. P. J. Appl. Phys. 1997, 82, 2251-2262.
38. Tran, N. H.; Hartmann, A. J.; Lamb, R. N. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 1150-1152.
39. Chern, M. Y.; Lin, H. M.; Fang, C. C.; Fan, J. C.; Chen, Y. F. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1390-1392.
40. Miwa, S.; Kuo, L. H.; Kimura, K.; Ohtake, A.; Yasuda, T.; Jin, C. G.; Yao, T. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 1192-1194.
41. Romano, L. T.; Bringans, R. D.; Zhou, X.; Kirk, W. P. Phys. Rev. B 1995, 52, 11201-11205.