Investigation of thermal effect on electrical properties of Si 0.887Ge0.113 and Si0.887-yGe 0.113Cy films

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 8, 2004, Pages 4197-4203

  Feng, W ^a   Choi, W K ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; DOPING (ADDITIVES); ELECTRICAL ENGINEERING; HETEROJUNCTIONS; INFRARED SPECTROSCOPY; MICROELECTRONICS; MOS CAPACITORS; OXIDATION; PRECIPITATION (CHEMICAL); RAPID THERMAL ANNEALING; THERMAL EFFECTS;

DEPLETION REGIONS; INTERFACE STATES; RAPID THERMAL OXIDATION (RTO); TRAP DENSITY;

SILICON ALLOYS;

EID: 2342637860     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1667602     Document Type: Article

References (23)

1. W. K. Choi et al., J. Appl. Phys. 87, 192 (2000).
2. W. K. Choi, W. Feng, L. K. Bera, C. Y. Yang, and J. Mi, J. Appl. Phys. 90, 5819 (2001).
3. L. K. Bera, W. K. Choi, W. Feng, C. Y. Yang, and J. Mi, Appl. Phys. Lett. 77, 256 (2000).
4. Y. Kanzawa, K. Nozawa, T. Saitoh, and M. Kubo, Appl. Phys. Lett. 77, 3962 (2000).
5. Y. Kanzawa, K. Nozawa, T. Saitoh, and M. Kubo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L592 (2001).
6. Y. Kanzawa, T. Saitoh, and M. Kobo, Appl. Phys. Lett. 78, 2515 (2001).
7. D. De Salvador et al., Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A75, 667 (2002).
8. E. Napolitani et al., Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 186, 212 (2002).
9. M. S. Carroll, J. C. Sturm, E. Napolitani, D. De Salvador, M. Berti, J. Stangl, G. Bauer, and D. J. Tweet, Phys. Rev. B 64, 073308 (2001).
10. M. S. Carroll and J. C. Sturm, Appl. Phys. Lett. 81, 1225 (2002).
11. J. Mi, P. Warren, P. Letourneau, M. Judelewicz, M. Gaihanou, M. Dutoit, C. Dubois, and J. C. Dupuy, Appl. Phys. Lett. 67, 259 (1995).
12. S. P. Voinigescu, K. Iniewski, R. Lisak, C. A. T. Salama, J. P. Neol, and C. C. Houghton, Solid-State Electron. 37, 1491 (1994).
13. J. Mi, A. Gupta, C. Y. Yang, J. Zhu, P. K. L. Yu, P. Warren, and M. Dutoit, Appl. Phys. Lett. 69, 3743 (1996).
14. P. W. Li and E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 63, 2938 (1993).
15. C. Saha, S. K. Ray, and S. K. Lahiri, Semicond, Sci. Technol. 14, 984 (1999).
16. M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, C. K. Maiti, D. K. Nayak, and Y. Shiraki, J. Appl. Phys. 78, 6135 (1995).
17. S. K. Ray, L. K. Bera, C. K. Maiti, S. John, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 72, 1250 (1998).
18. B. L. Stein, E. T. Yu, E. T. Croke, A. T. Hunter, T. Laursen, J. W. Mayer, and C. C. Ahn, Appl. Phys. Lett. 73, 647 (1998).
19. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1998).
20. L. S. Riley, S. Hall, and J. M. Bonar, Solid-State Electron. 43, 2247 (1999).
21. W. Feng, W. K. Choi, L. K. Bera, J. Mi, and C. Y Yang, Int. J. Mod. Phys. B 16, 4207 (2002).
22. R Murray, R. Carin, and P. Bogadanski, J. Appl. Phys. 60, 3592 (1986).
23. C. G. Ahn, H. S. Rang, Y. K. Kwon, S. M. Lee, B. R. Ryum, and B. K. Kang, J. Appl. Phys. 86, 1542 (1999).