Structural characterization of rapid thermal oxidized Si1-x-yGexCy alloy films grown by rapid thermal chemical vapor deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 1, 2000, Pages 192-197

  Choi, W K ^a   Chen, J H ^a   Bera, L K ^a   Feng, W ^a   Pey, K L ^a   Mi, J ^b   Yang, C Y ^b   Ramam, A ^c   Chua, S J ^c   Pan, J S ^c   Wee, A T S ^a   Liu, R ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b SANTA CLARA UNIVERSITY   (United States)

^c INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000831097     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371843     Document Type: Article

References (29)

1. S. C. Jain, in Advances in Electronics and Electron Physics, Supplement 24, edited by P. W. Hawkes (Academic, San Diego, CA, 1994).
2. G. L. Patton et al., IEEE Electron Device Lett. 11, 171 (1990).
3. R. Karunasiri, J. S. Park, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 59, 2588 (1991).
4. Y. Rajakarunanayake and T. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 929 (1990).
5. Y. Mii, Y. Xie, E. Fitzgerald, D. Monroe, F. Thiel, B. Weir, and L. Feldman, Appl. Phys. Lett. 59, 1611 (1991).
6. A. T. Fiory, J. C. Bean, R. Hull, and S. Nakahara, Phys. Rev. B 31, 4063 (1985).
7. C. A. King, L. J. Hoyt, D. B. Noble, C. M. Gronet, J. F. Gibbons, M. P. Scott, T. I. Kamins, and S. S. Laderman, IEEE Electron Device Lett. 10, 150 (1989).
8. E. Eberl, S. S. Iyer, S. Zollner, J. C. Tsang, and F. K. LeGoues, Appl. Phys. Lett. 60, 3033 (1992).
9. H. J. Osten, E. Bugiel, and P. Zaumseil, Appl. Phys. Lett. 64, 3440 (1994).
10. J. Mi, P. Warren, P. Letourneau, M. Judelewicz, M. Gailhanou, M. Dutoit, C. Dubois, and J. C. Dupuy, Appl. Phys. Lett. 67, 259 (1995).
11. R. Singh, J. Appl. Phys. 63, R59 (1988).
12. J. C. Bean, A. T. Fiory, R. Hull, and R. T. Lynch, in Proceedings of the 1st International Symposium on Silicon Molecular Beam Epitaxy, edited by J. C. Bean (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1985).
13. D. K. Nayak, K. Kamjoo, J. C. S. Woo, J. S. Park, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 56, 66 (1990).
14. D. K. Nayak, K. Kamjoo, J. S. Park, J. C. S. Woo, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 57, 369 (1990).
15. D. K. Nayak, K. Kamjoo, J. S. Park, J. C. S. Woo, and K. L. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 39, 56 (1992).
16. J. Eugege, F. K. LeGoues, V. P. Kesan, S. S. Iyer, and F. M. d'Heurle, Appl. Phys. Lett. 59, 78 (1991).
17. D. C. Paine, C. Caragianis, and A. F. Schwartzman, J. Appl. Phys. 70, 5076 (1991).
18. J. Mi, H. Yoong, F. Zhang, C. Y. Yang, J. H. Chen, and W. K. Choi ESSDERC'99 (submitted).
19. F. K. LeGoues, R. Rosenberg, T. Nguyen, F. Himpsel, and B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).
20. A. E. Bair, Z. Atmon, T. L. Alford, and D. J. Smith, J. Appl. Phys. 83, 2835 (1998).
21. B. Garrido, J. Morante, M. Franz, K. Pressel, D. Krüger, P. Zaumseil, and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 85, 833 (1999).
22. T. Vreeland and B. M. Paine, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 3153 (1986).
23. D. C. Houghton, D. D. Perovic, J.-M. Baribeau, and G. C. Weatherly, J. Appl. Phys. 67, 1850 (1990).
24. C. W. Liu, Y. D. Tseng, M. Y. Chern, C. L. Chang, and J. C. Sturm, J. Appl. Phys. 85, 2124 (1999).
25. J. W. Strane, S. T. Picraux, H. J. Stein, S. R. Lee, J. Candelaria, D. Theodore, and J. W. Mayer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 321, 467 (1994).
26. G. G. Fischer, P. Zaumseil, E. Bugiel, and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 77, 1934 (1995).
27. K. Pressel, G. G. Fischer, P. Zaumseil, M. Kim, and H. J. Osten, Thin Solid Films 294, 133 (1997).
28. P. Warren, J. Mi, F. Overney, and M. Dutoit, J. Cryst. Growth 157, 414 (1995).
29. J. Menéndez, P. Gopalan, G. S. Spencer, N. Cave, and J. W. Strane, Appl. Phys. Lett. 66, 1160 (1995).