Electrical characteristics of plasma oxidized Si1-x-yGexCy metal-oxide-semiconductor capacitors

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 10, 1998, Pages 1250-1252

  Ray, S K ^a   Bera, L K ^a   Maiti, C K ^a   John, S ^b   Banerjee, S K ^b  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (India)

^b The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; INTERFACES (MATERIALS); OXIDATION; OXIDES; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR PLASMAS; STRAIN;

CHARGE DENSITY; ELECTRON TRAPPING; INTERFACE TRAP DENSITY; MICROWAVE PLASMA OXIDATION;

MOSFET DEVICES;

EID: 0032498768     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121028     Document Type: Article

References (28)

1. R. People, IEEE J. Quantum Electron. 22, 1696 (1986).
2. B. S. Meyerson, Proc. IEEE 80, 1592 (1992).
3. J. Welser, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, IEEE Electron Device Lett. 15, 100 (1994).
4. K. Ismail, S. Rishton, J. O. Chu, K. Chan, and B. S. Meyerson, IEEE Electron Device Lett. 14, 348 (1996).
5. S. C. Jain, H. J. Osten, B. Dietrich, and H. Rucker, Semicond. Sci. Technol. 10, 1289 (1995).
6. K. Eberl, S. S. Iyer, S. Zollner, J. C. Tsang, and F. K. Legoues, Appl. Phys. Lett. 60, 3033 (1992).
7. J. L. Regolini, F. Gisbert, G. Dollino, and P. Boucaud, Mater. Lett. 18, 57 (1993).
8. J. Mi, P. Warren, M. Gailhanou, K. D. Ganjere, M. Dutoit, P. H. Joneau, and R. Houriet, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1650 (1996).
9. A. St. Amour, C. W. Liu, J. C. Sturm, Y. Lacroix, and M. L. W. Thewalt, Appl. Phys. Lett. 67, 3915 (1995).
10. J. W. Strane, H. J. Stein, S. R. Lee, B. L. Doyle, S. T. Picraux, and J. W. Mayer, Appl. Phys. Lett. 63, 2786 (1993).
11. L. D. Lanzerotti, A. St. Amour, C. W. Liu, J. C. Sturm, J. K. Watanabe, and N. D. Thedore, IEEE Electron Device Lett. 17, 334 (1996).
12. S. K. Ray, S. John, S. Oswal, and S. K. Banerjee, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 43, 261 (1996).
13. F. Y. Huang and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 69, 2330 (1996).
14. F. K. Legoues, R. Rosenberg, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 54, 644 (1989).
15. D. K. Nayak, K. Kamjoo, J. S. Park, J. C. S. Woo, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 57, 369 (1990).
16. K. Rim, S. Takagi, J. J. Welser, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 379, 327 (1995).
17. J. Xiang, N. Herbots, H. Jacobsson, P. Ye, S. Heame, and S. Whaley, J. Appl. Phys. 80, 1857 (1996).
18. P. W. Li, H. K. Liou, E. S. Yang, S. S. Iyer, T. P. Smith III, and Z. Lu, Appl. Phys. Lett. 60, 3265 (1992).
19. P. W. Li and E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 63, 2938 (1993).
20. M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, C. K. Maiti, D. K. Nayak, and Y. Shiraki, J. Appl. Phys. 78, 6135 (1995).
21. L. K. Bera, M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, D. K. Nayak, N. Usami, Y. Shiraki, and C. K. Maiti, Appl. Phys. Lett. 70, 217 (1997).
22. S. Johns, E. J. Quinones, B. F. Ferguson, S. K. Ray, C. B. Mulins, and S. K. Banerjee, "Structure and Evolution of Surfaces," 1996 MRS Fall Meeting, Boston, MA, Vol. 440, pp. 275-280.
23. S. K. Ray, C. K. Maiti, S. K. Lahiri, and N. B. Chakrabarti, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1139 (1992).
24. H. Fukuda, M. Yasuda, T. Iwabuchi, and S. Ohno, IEEE Electron Device Lett. 12, 587 (1991).
25. M. Y. Hao, B. Maiti, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 64, 2102 (1994).
26. K. C. Kao, J. Appl. Phys. 55, 752 (1984).
27. D. J. DiMaria, E. Cartier, and D. Arnold, J. Appl. Phys. 73, 3367 (1993).
28. D. J. DiMaria and J. W. Stasiak, J. Appl. Phys. 65, 2342 (1989).