Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 5, 2005, Pages 1-3

  Sheu, J K ^a   Lee, M L ^a   Lai, W C ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; EPITAXIAL GROWTH; LEAKAGE CURRENTS; LOW TEMPERATURE EFFECTS; ORGANOMETALLICS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTOR GROWTH; SURFACE PHENOMENA;

ORGANOMETALLIC VAPOR PHASE EPITAXY (OMVPE); SURFACE PIT DENSITIES; SURFACE STATES; THREADING DISLOCATION (TD);

GALLIUM NITRIDE;

EID: 18644380689     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1861113     Document Type: Article

References (22)

1. M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, R. Gaska, J. W. Wang, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 73, 1089 (1998).
2. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
3. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 1275 (1997).
4. L. Wang, M. I. Nathan, T.-H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
5. C. T. Lee, Y. J. Lin, and D. S. Liu, Appl. Phys. Lett. 79, 2573 (2001).
6. J. K. Kim, H. W. Jang, C. M. Jeon, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 4655 (2002).
7. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
8. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
9. E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 88, 5951 (2000).
10. F. Zhang, D. C. Reynolds, and D. C. Look, J. Electron. Mater. 29, 448 (2000).
11. D. V. Kuksenkov, H. Temkin, A. Osinsky, R. Gaska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 1365 (1998).
12. J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 83, 6148 (1998).
13. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 91, 9821 (2002).
14. L. W. Yin, Y. Hwang, J. H. Lee, R. M. Kolabas, R. J. Trew, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 11, 561 (1990), and references therein.
15. J. K. Sheu, C. J. Kao, M. L. Lee, W. C. Lai, L. S. Yeh, G. C. Chi, S. J. Chang, Y. K. Su, and J. M. Tsai, J. Electron. Mater. 32, 400 (2003).
16. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
17. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, J. Appl. Phys. 85, 1970 (1999).
18. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, W. C. Hung, J. S. Bow, and Y. C. Yu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 729 (2000).
19. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999)
20. A. Hierro, D. Kwon, S. A. Ringela, M. Hansen, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. P. DenBarrs, Appl. Phys. Lett. 76, 3064 (2000).
21. L.-W. Yin, J. P. Ibbetson, M. M. Hashemi, A. C. Gossard, U. K. Mishra, Y. Hwang, T. Zhang, and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. 60, 2005 (1992).
22. M. Lampert and P. Mark, Current Injection in Solids (Academic, New York, 1970).