Modeling of the carbon-rich c(4 × 4) reconstruction on Si(1 0 0)

Surface Science

Volumn 554, Issue 2-3, 2004, Pages 90-102

  Remediakis, I N ^a,b   Guedj, C ^a,b   Kelires, P C ^a,b   Grutzmacher D ^c   Kaxiras, E ^d  

^a UNIVERSITY OF CRETE   (Greece)

^b INSTITUTE OF COMPUTER SCIENCE   (Greece)

^c PAUL SCHERRER INSTITUTE   (Switzerland)

^d HARVARD UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

Density functional calculations; Monte Carlo simulations; Scanning tunneling microscopy; Silicon carbide; Surface relaxation and reconstruction

Indexed keywords

COMPRESSIVE STRESS; COMPUTER SIMULATION; DIMERS; GROWTH (MATERIALS); MATHEMATICAL MODELS; MONTE CARLO METHODS; PRECIPITATION (CHEMICAL); RELAXATION PROCESSES; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SILICON CARBIDE; SURFACE STRUCTURE;

DENSITY FUNCTIONAL CALCULATIONS; MONTE-CARLO SIMULATIONS; SURFACE RELAXATION AND RECONSTRUCTION;

CARBON;

EID: 1842455720     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.susc.2004.02.016     Document Type: Article

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