Current transport property of n-GaN/n-6H-SiC heterojunction: Influence of interface states

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 12, 2005, Pages 1-3

  Huang, Y ^a   Chen, X D ^a   Fung, S ^a   Beling, C D ^a   Ling, C C ^a   Dai, X Q ^a   Xie, M H ^a  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITANCE; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SILICON CARBIDE;

FERMI-LEVEL PINNING; HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY (HVPE); MULTISTEP HOPPING; OXIDATION LAYERS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 17944371362     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1886906     Document Type: Article

References (18)

1. See for example, S. Keller, Y. F. Wu, G. Parish, N. Ziang, J. Xu, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/16.906450 48, 552 (2001); J. T. Torvik, M. Leksono, J. I. Pankove, B. Van Zeghbroeck, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 1371 (1998).
2. See for example, S. Keller, Y. F. Wu, G. Parish, N. Ziang, J. Xu, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/16.906450 48, 552 (2001); J. T. Torvik, M. Leksono, J. I. Pankove, B. Van Zeghbroeck, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 1371 (1998).
3. A. Y. Polyakov, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, B. Theys, F. Jomard, I. P. Nikitina, A. E. Nikolaev, and V. A. Dmitriev, Solid-State Electron. 44, 1955 (2000).
4. L. A. Bendersky, D. V. Tsvetkov, and Y. V. Melnik, J. Appl. Phys. 94, 1676 (2003).
5. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, B. Luo, J. Kim, R. Mehandru, F. Ren, K. P. Lee, S. J. Pearton, A. V. Osinsky, and P. E. Norris, Appl. Phys. Lett. 80, 3352 (2002).
6. J. T. Torvik, M. W. Leksono, J. I. Pankove, C. Heinlein, J. K. Grepstad, and C. Magee, J. Electron. Mater. 28, 234 (1999).
7. N. I. Kuznetsov, A. E. Gubenco, A. E. Nikolaev, Y. V. Melnik, M. N. Blashenkov, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, Mater. Sci. Eng., B 46, 74 (1997).
8. M. H. Xie, L. X. Zheng, S. H. Cheung, Y. F. Ng, Huasheng Wu, S. Y. Tong, and N. Ohtani, Appl. Phys. Lett. 77, 1105 (2000).
9. E. Danielsson, C. M. Zetterling, M. Östling, K. Linthicum, D. B. Thomson, O. H. Nam, and R. F. Davis, Solid-State Electron. 46, 827 (2002).
10. R. L. Anderson, Solid-State Electron. 5, 341 (1962).
11. Y. Kribes, I. Harrieon, B. Tuck, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, J. Cryst. Growth 189/190, 773 (1998).
12. W. Schröter, J. Kronewitz, U. Gnauert, F. Riedel, and M. Seibt, Phys. Rev. B 52, 13726 (1995).
13. H. Witte, A. Krtschil, M. Lisker, J. Christen, M. Topf, D. Meister, and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett. 74, 1424 (1999).
14. J. M. Woodall, G. D. Pettit, T. N. Jackson, C. Lanza, K. L. Kavanagh, and J. W. Mayer, Phys. Rev. Lett. 51, 1783 (1983).
15. J. E. Northrup, J. Neugebauer, and L. T. Romano, Phys. Rev. Lett. 77, 103 (1996).
16. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Device (Wiley, New York, 1981).
17. A. Y. Polyakov, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, M. G. Milvidskii, D. V. Tsvetkov, S. I. Stepanov, A. E. Nikolaev, and V. A. Dmitriev, Solid-State Electron. 43, 1937 (1999).
18. D. J. Smith, D. Chandrasekhar, B. Sverdlov, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 67, 1830 (1995).