Quantum well intermixing enhancement using Ge-doped sol-gel derived Si O2 encapsulant layer in InGaAsInP laser structure

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 8, 2005, Pages 1-3

  Djie, H S ^a   Ho, C K F ^a   Mei, T ^a   Ooi, B S ^b  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b Lehigh University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INTERDIFFUSION RATE; LASER STRUCTURES; OPTICAL QUALITY; QUANTUM WELL INTERMIXING (QWI);

GERMANIUM; MORPHOLOGY; OPTICAL SYSTEMS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SILICA; SOL-GELS; THERMAL EXPANSION;

SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 17044420103     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1868867     Document Type: Article

References (18)

1. B. S. Ooi, K. McIlvaney, M. W. Street, A. Helmy, S. G. Ayling, A. C. Bryce, J. H. Marsh, and J. S. Roberts, IEEE J. Quantum Electron. 33, 1784 (1997).
2. B. E. Gordon, A. S. W. Lee, D. A. Thompson, and B. J. Robinson, Semicond. Sci. Technol. 18, 782 (2003).
3. H. S. Djie, T. Mei, J. Arokiaraj, and P. Thilakan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L867 (2002).
4. H. S. Lim, V. Aimez, B. S. Ooi, J. Beauvais, and J. Beerens, IEEE Photonics Technol. Lett. 14, 594 (2002).
5. A. M. Kan'an, P. LiKam Wa, K. Wa, M. Dutta, and J. Pamulapati, J. Appl. Phys. 80, 3179 (1996).
6. P. N. K. Deenapanray, B. Gong, R. N. Lamb, A. Martin, L. Fu, H. H. Tan, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 80, 4351 (2002).
7. P. Cusumano, B. S. Ooi, A. Saher Helmy, S. G. Ayling, A. C. Bryce, J. H. Marsh, B. Voegele, and M. J. Roseb, J. Appl. Phys. 81, 2445 (1997).
8. C. K. F. Ho, H. S. Djie, K. Pita, N. Q. Ngo, and C. H. Kam, Electrochem. Solid-State Lett. 7, F96 (2004).
9. E. V. K. Rao, A. Hamoudi, Ph. Krauz, M. Juhel, and H. Thibierge, Appl. Phys. Lett. 66, 472 (1995).
10. N. Cao, B. B. Elenkrig, J. G. Simmons, D. A. Thompson, and N. Puetz, Appl. Phys. Lett. 70, 3419 (1997).
11. S. K. Si, D. H. Yeo, K. H. Yoon, and S. J. Kim, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 4, 619 (1998).
12. D. H. Yeo, K. H. Yoon, and S. J. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 1032 (2000).
13. J. S. Yu, Y. T. Lee, and H. Lim, J. Appl. Phys. 88, 5720 (2000).
14. J. Wojcik, B. J. Robinson, D. A. Thompson, and P. Mascher, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1076 (2002).
15. H. S. Djie, S. L. Ng, O. Gunawan, P. Dowd, V. Aimez, J. Beauvais, and J. Beerens, IEE Proc.: Optoelectron. 149, 138 (2002).
16. S. S. Rao, W. P. Gillin, and K. P. Homewood, Phys. Rev. B 50, 8071 (1994).
17. O. M. Khreis, W. P. Gillin, and K. P. Homewood, Phys. Rev. B 55, 15813 (1997).
18. S. Doshi, P. N. K. Deenapanray, H. H. Tan, and C. Jagadish, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 198 (2003).