Crack-free fully epitaxial nitride microcavity using highly reflective AlInNGaN Bragg mirrors

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 3, 2005, Pages 1-3

  Carlin, J F ^a   Dorsaz, J ^a   Feltin, E ^a   Butt R ^a   Grandjean, N ^a   Ilegems, M ^a   Laugt M ^b  

^a EPFL   (Switzerland)

^b Parc Sophia Antipolis   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMPLIFIERS (ELECTRONIC); LIGHT EMITTING DIODES; MIRRORS; PHOTONS; REFLECTION; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SUBSTRATES;

BRAGG REFLECTORS; POLARITONS; ROOM TEMPERATURE (RT); TENSILE STRAIN;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 17044379454     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1849851     Document Type: Article

References (22)

1. E. F. Schubert, Y. H. Wang, A. Y. Cho, L. W. Tu, and G. J. Zydzik, Appl. Phys. Lett. 60, 921 (1992).
2. M. Diagne, Y. He, H. Zhou, E. Makarona, A. V. Nurmikko, J. Han, K. E. Waldrip, J. J. Figiel, T. Takeuchi, and M. Krames, Appl. Phys. Lett. 79, 3720 (2001).
3. T. Tawara, H. Gotoh, T. Akasaka, N. Kobayashi, and T. Saitoh, Phys. Rev. Lett. 92, 256402 (2004).
4. T. Someya, R. Werner, A. Forchel, M. Catalano, R. Cingolani, and Y. Arakawa, Science 285, 1905 (1999).
5. I. L. Krestnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, V. A. Semenov, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, A. F. Hoffmann, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 75, 1192 (1999).
6. For reviews see M. S. Skolnick, T. A. Fisher, and D. M. Whittaker, Semicond. Sci. Technol. 13, 645 (1998).
7. G. Malpuech, A. di Carlo, A. V. Kavokin, J. J. Baumberg, A. Zamfirescu, and P. Lugli, Appl. Phys. Lett. 81, 412 (2002).
8. P. G. Savvidis, J. J. Baumberg, R. M. Stevenson, M. S. Skolnick, D. M. Whittaker, and J. S. Roberts, Phys. Rev. Lett. 84, 1547 (2000).
9. M. Saba, C. Ciuti, J. Bloch, V. Thierry-Mieg, R. Andŕ, Le Si Dang, S. Kundermann, A. Mura, G. Bongiovanni, J. L. Staehli, and B. Deveaud, Nature (London) 414, 731 (2001).
10. J.-F. Carlin and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 83, 668 (2003).
11. J. Dorsaz, J.-F. Carlin, C. M. Zellweger, S. Gradecak, and M. Ilegems, Phys. Status Solidi A 201, 2675 (2004).
12. K. E. Waldrip, J. Han, J. J. Figiel, H. Zhou, E. Makarona, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 78, 3205 (2001).
13. H. M. Ng, T. D. Moustakas, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 76, 2818 (2000).
14. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Hoepler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
15. M. Arita, M. Nishioka, and Y. Arakawa, Phys. Status Solidi A 194, 403 (2002).
16. R. Langer, A. Barski, J. Simon, N. T. Pelekanos, O. Konovalov, R. Andŕ, and Le Si Dang, Appl. Phys. Lett. 74, 3610 (1999).
17. T. Someya and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 73, 3653 (1998).
18. T. Shirasawa, N. Moshida, A. Inoue, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama, and K. Iga, J. Cryst. Growth 189-190, 124 (1998).
19. I. J. Fritz and T. J. Drummond, Electron. Lett. 31, 68 (1995).
20. H. M. Ng, D. Doppalapudi, E. Iliopoulos, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 74, 1036 (1999).
21. H. P. D. Schenk, E. Feltin, P. Venńgùs, O. Tottereau, M. Läugt, M. Vaille, B. Beaumont, P. de Mierry, P. Gibart, S. Fernández, and F. Calle, Phys. Status Solidi A 188, 899 (2001).
22. J.-M. Bethoux, P. Venńgùs, F. Natali, E. Feltin, O. Tottereau, G. Nataf, P. de Mierry, and F. Semond, J. Appl. Phys. 94, 6499 (2003).