Mechanism for coupling between properties of interfaces and bulk semiconductors

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 68, Issue 19, 2003, Pages

  Dev, Kapil ^a   Jung, L ^a   Gunawan, R ^a   Braatz, D ^a   Seebauer, G ^a  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARGON; SILICON; SILICON DIOXIDE;

ARTICLE; ATOM; ELECTRIC FIELD; ENERGY; KINETICS; MOTION; OXIDATION; PRESSURE; SEMICONDUCTOR;

EID: 0942280738     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.68.195311     Document Type: Article

References (47)

1. D. Castellanos, H. A. Farach, R. J. Creswick, and C. P. Poole Jr., Phys. Rev. B 47, 5037 (1993).
2. A. M. Mariz, U. M. S. Costa, and C. Tsallis, Europhys. Lett. 3, 27 (1987).
3. G. J. Mata, E. Pestana, and M. Kiwi, Phys. Rev. B 26, 3841 (1982).
4. A. Poniewierski and A. Samborski, Phys. Rev. E 53, 2436 (1996).
5. L. David, J. Bernard, M. Orrit, and P. Kottis, Chem. Phys. 132, 31 (1989).
6. F. Baumberger, T. Greber, and J. Osterwalder, Phys. Rev. B 62, 15-431 (2000).
7. I. M. Vitomirov, G. D. Waddill, C. M. Aldao, S. G. Anderson, C. Capasso, and J. H. Weaver, Phys. Rev. B 40, 3483 (1989).
8. D. E. Aspnes, Surf. Sci. 132, 406 (1983).
9. M. McEllistrem, G. Haase, D. Chen, and R. J. Hamers, Phys. Rev. Lett. 70, 2471 (1993).
10. D. E. Aspnes, Surf. Sci. 37, 418 (1973).
11. M. Cardona, K. L. Shaklee, and F. H. Pollak, Phys. Rev. 154, 696 (1967).
12. C. R. Carlson, W. F. Buechter, F. Che-Ibrahim, and E. G. Seebauer, J. Chem. Phys. 99, 7190 (1993).
13. R. Ditchfield, D. Llera-Rodriguez, and E. G. Seebauer, Phys. Rev. B 61, 13-710 (2000).
14. P. Lautenschlager, M. Garriga, L. Vina, and M. Cardona, Phys. Rev. B 36, 4821 (1987).
15. R. P. Southwell, M. A. Mendicino, and E. G. Seebauer, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 928 (1996).
16. H. Z. Massoud, J. D. Plummer, and E. A. Irene, J. Electrochem. Soc. 132, 2685 (1985).
17. H. Shen, S. H. Pan, Z. Hang, J. Leng, F. H. Pollak, J. M. Woodall, and R. N. Sacks, Appl. Phys. Lett. 53, 1080 (1988).
18. T. Kanata, M. Matsunage, H. Takakura, Y. Hamakawa, and T. Nishino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 68, 5309 (1990).
19. X. Yin, H. M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, P. A. Montano, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 131 (1992).
20. H. Shen and M. Dutta, J. Appl. Phys. 78, 2151 (1995).
21. C. R. Lu, R. Anderson, D. R. Stone, W. T. Beard, R. A. Wilson, T. F. Keuch, and S. L. Wright, Phys. Rev. B 43, 11-791 (1991).
22. A. Badakhshan, C. Durbin, C. R. Glosser, K. Alavi, and R. Pathak, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 169 (1993).
23. A. Fujimoto, H. Katsumi, M. Okuyama, and Y. Hamakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 804 (1995).
24. F. J. Himpsel, P. Heimann, T.-C. Chiang, and D. E. Eastman, Phys. Rev. Lett. 45, 1112 (1980).
25. F. G. Allen and G. W. Gobeli, Phys. Rev. 127, 150 (1962).
26. F. J. Himpsel, G. Hollinger, and R. A. Pollak, Phys. Rev. B 28, 7014 (1983).
27. H. H. Mueller and M. Schulz, J. Mater. Sci. 6, 65 (1995).
28. K. L. Brower, Appl. Phys. Lett. 43, 1111 (1983).
29. A. Stesmans, Phys. Rev. B 48, 2418 (1993).
30. D. L. Griscom, J. Appl. Phys. 58, 2524 (1985).
31. A. Stesmans, Appl. Phys. Lett. 68, 2076 (1996).
32. A. Stesmans, Physica B 273-274, 1015 (1999).
33. J. C. C. Tsai, in VLSI Technology (McGraw-Hill, New York, 1983).
34. F. J. Himpsel, F. R. McFeely, A. T. Ibrahimi, and J. A. Yarmoff, Phys. Rev. B 38, 6084 (1988).
35. E. G. Seebauer, Surf. Sci. 316, 391 (1994);
36. Surf. Sci. E. G. Seebauer, A. C. F. Kong, and L. D. Schmidt, 193, 417 (1988).
37. C. Christofides, Semicond. Sci. Technol. 7, 1283 (1992).
38. W.-C. Lee, S.-G. Lee, and K. J. Chang, J. Phys.: Condens. Matter 10, 995 (1998).
39. G. D. Watkins, Phys. Rev. B 12, 5824 (1975).
40. W. Windl, M. M. Bunea, R. Stumpf, S. T. Dunham, and M. P. Masquelier, Phys. Rev. Lett. 83, 4345 (1999).
41. M. Hakala, M. J. Puska, and R. M. Niemenen, Phys. Rev. B 61, 8155 (2000).
42. H.-H. Vuong, C. S. Rafferty, S. A. Eshraghi, J. Ning, J. R. McMacken, S. Chaudhry, J. McKinley, and F. A. Stevie, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 428 (2000).
43. S. C. Jain, W. Schoemaker, R. Lindsay, P. A. Stolk, S. Decoutere, M. Willander, and H. E. Maes, J. Appl. Phys. 91, 8919 2002.
44. Rapid Thermal Processing: Science and Technology, edited by R. B. Fair (Academic, Boston, 1993).
45. Si Front-End Processing: Physics and Technology of Dopant-Defect Interactions, edited by H.-J. L. Gossmann, T. E. Haynes, M. E. Law, A. N. Larsen, and S. Odanaka, MRS Proc. No. 568 (Materials Research Society, Warrendale, PA, 1999)
46. Si Front-End Processing: Physics and Technology of Dopant-Defect Interactions II, edited by A. Agarawal, L. Pelaz, H.-H. Vuong, P. Packan, and M. Kase, MRS Proc. No. 610 (Materials Research Society, Warrendale, PA, 2000).
47. N. E. B. Cowern, J. T. F. Janssen, and H. F. F. Jos, J. Appl. Phys. 68, 6191 (1990).