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Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 39, Issue 11, 2000, Pages 6212-6215

Electrical characterization of low nitrogen content plasma deposited and rapid thermal annealed Al/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor structures

(6) Castán, Helena a Dueñas, Salvador a Barbolla, Juan a Redondo, Estefanía b Mártil, Ignacio b González Díaz, Germáan b

a UNIVERSITY OF VALLADOLID (Spain)

b UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID (Spain)

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ALUMINUM; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY; DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); DEPOSITION; DIELECTRIC PROPERTIES OF SOLIDS; HYDROGEN; INTERFACES (MATERIALS); METAL INSULATOR BOUNDARIES; NITROGEN; PLASMA APPLICATIONS; RAPID THERMAL ANNEALING; SILICON NITRIDE;

CONDUCTANCE TRANSIENT ANALYSIS; PLASMA DEPOSITION;

SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE;

EID: 0342502193 PISSN: 00214922 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1143/jjap.39.6212 Document Type: Article

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- Microelectron. Reliab.
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- Appl. Phys. Lett.
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- J. Appl. Phys.
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.