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Volumn 86, Issue 12, 1999, Pages 6924-6930

Electrical characterization of electron cyclotron resonance deposited silicon nitride dual layer for enhanced AI/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor structures fabrication

(7) Pelaez R a Castan E a Duenas S a Barbolla, J a Redondo, E b Martil I b Gonzalez Diaz G b

a UNIVERSITY OF VALLADOLID (Spain)

b UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID (Spain)

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EID: 0038216254 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.371774 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.