Enhanced growth of low-resistivity NiSi on epitaxial Si0.7Ge0.3 on (001)Si with a sacrificial amorphous Si interlayer

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 21, Issue 5, 2003, Pages 2147-2150

  Wu, W W ^a   Cheng, S L ^a   Lee, S W ^a   Chen, L J ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; ANNEALING; EPITAXIAL GROWTH; INTERFACES (MATERIALS); MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; SINGLE CRYSTALS; THERMAL EFFECTS; THERMODYNAMIC STABILITY; THICKNESS MEASUREMENT; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

ENHANCED GROWTH; GERMANOSILICIDE; INTERLAYERS; NICKEL SILICIDE;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 0242593756     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (22)

1. S. P. Murarka, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 320, 3 (1994).
2. J. B. Lasky, J. S. Snakos, O. J. Cain, and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices ED-38, 262 (1991).
3. K. Maex, Mater. Sci. Eng., R. 11, 53 (1993).
4. H.K. Liou, X. Wu, U. Gennser, V. P. Kesan, S. S. Iyer, K. N. Tu, and E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 60, 577 (1992).
5. X. Xiao, J. C. Sturm, S. R. Rarihar, S. A. Lyon, D. Meyerhofer, S. Palfrey, and F. V. Shalcross, IEEE Electron Device Lett. 14, 199 (1993).
6. W. J. Qi, B. Z. Li, W. N. Huang, Z. G. Gu, H. Q. Lu, X. J. Zhang, M. Zhang, G. S. Dong, D. C. Miller, and R. G. Aitken, J. Appl. Phys. 77, 1086 (1995).
7. J. B. Lai and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 86, 1340 (1999).
8. K. L. Pey, W. K. Cho, S. Chattopadhyay, H. B. Zhao, E. A. Fitzgerald, D. A. Antoniadis, and P. S. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1903 (2002).
9. T. Jarmar, J. Seger, F. Ericson, D. Mangelinck, U. Smith, and S. L. Zhang, J. Appl. Phys. 92, 7193 (2002).
10. W. W. Wu, T. F. Chiang, S. L. Cheng, S. W. Lee, L. J. Chen, Y. H. Peng, and H. H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 81, 820 (2002).
11. J. B. Lai, C. S. Liu, and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 78, 6539 (1995).
12. L. J. Chen, J. B. Lai, and C. S. Lee, Micron 33, 535 (2002).
13. R. A. Donaton, K. Maex, A. Vantomme, G. Langouche, Y. Morciaux, A. St. Amour, and C. Sturm, Appl. Phys. Lett. 70, 1266 (1997).
14. B. I. Boyanov, P. T. Goeller, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich,. J. Appl. Phys. 84, 4285 (1998).
15. C. Detavernier, T. R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, and K. Maex, Thin Solid Films 384, 243 (2001).
16. D. P. Chu, F. M. Peeters, S. Kolodinski, and E. Roca, J. Appl. Phys. 79, 1151 (1996).
17. B. I. Boyanov, P. T. Goeller, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 71, 3060 (1997).
18. P. T. Goeller, B. I. Boyanov, D. E. Sayers, R. J. Nemanich, A. F. Meyers, and E. B. Steel, J. Mater. Res. 14, 4372 (1999).
19. H. J. Huang, K. W. Chen, C. Y. Chang, T. Y.Huang, T. C. Chang, L. P. Chen, and G. W. Huang, J. Vac. Sci. Technol. A 18 1448 (2000)
20. J. F. Chen and J. L. Chen, Thin Solid Films 293, 34 (1997).
21. E. G. Colgan, J. P. Gambino, and Q. Z. Hong, Mater. Sci. Eng., R. 16, 43 (1996).
22. J. Y. Yew, H. C. Tseng, L. J. Chen, K. Nakamura, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 69, 3692 (1996).