Enhanced growth of CoSi2 on epitaxial Si0.7Ge 0.3 with a sacrificial amorphous Si interlayer

Applied Physics Letters

Volumn 81, Issue 5, 2002, Pages 820-822

  Wu, W W ^a   Chiang, T F ^a   Cheng, S L ^a   Lee, S W ^a   Chen, L J ^a   Peng, Y H ^b   Cheng, H H ^b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

A-SI LAYERS; AMORPHOUS SI; ENHANCED GROWTH; EPITAXIAL SI; GE-SEGREGATION; HIGH-SPEED; MORPHOLOGICAL STABILITY; SACRIFICIAL LAYER;

AMORPHOUS SILICON; EPITAXIAL GROWTH; GERMANIUM; SILICON;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 79955991248     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1494103     Document Type: Article

References (17)

1. H. K. Liou, X. Wu, U. Gennser, V. P. Kesan, S. S. Iyer, K. N. Tu, and E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 60, 577 (1992). apl APPLAB 0003-6951
2. X. Xiao, J. C. Sturm, S. R. Rarihar, S. A. Lyon, D. Meyerhofer, S. Palfrey, and F. V. Shallcross, IEEE Electron Device Lett. 14, 199 (1993). edl EDLEDZ 0741-3106
3. J. D. Lee, B. C. Shim, and B. G. Park, IEEE Trans. Electron Devices 48, 155 (2001). etd IETDAI 0018-9383
4. B. I. Boyanov, P. T. Goeller, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 71, 3060 (1997). apl APPLAB 0003-6951
5. P. T. Goeller, B. I. Boyanov, D. E. Sayers, R. J. Nemanich, A. F. Meyers, and E. B. Steel, J. Mater. Res. 14, 4372 (1999). jmr JMREEE 0884-2914
6. H. J. Huang, K. M. Chen, C. Y. Chang, T. Y. Huang, T. C. Chang, L. P. Chen, and G. W. Huang, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1448 (2000). jva JVTAD6 0734-2101
7. R. A. Donaton, K. Maex, A. Vantomme, G. Langouche, Y. Morciaux, A. St. Amour, and J. C. Sturm, Appl. Phys. Lett. 70, 1266 (1997). apl APPLAB 0003-6951
8. B. I. Boyanov, P. T. Goeller, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 4285 (1998). jap JAPIAU 0021-8979
9. C. Detavernier, T. R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, and K. Maex, Thin Solid Films 384, 243 (2001). tsf THSFAP 0040-6090
10. E. G. Colgan, J. P. Gambino, and Q. Z. Hong, Mater. Sci. Eng., R. 16, 43 (1996). msr MIGIEA 0927-796X
11. J. B. Lai, C. S. Liu, and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 78, 6539 (1995). jap JAPIAU 0021-8979
12. J. F. Chen and L. J. Chen, Thin Solid Films 293, 34 (1997). tsf THSFAP 0040-6090
13. W. J. Qi, B. Z. Li, W. N. Huang, Z. G. Gu, H. Q. Lu, X. J. Zhang, M. Zhang, G. S. Dong, D. C. Miller, and R. G. Aitken, J. Appl. Phys. 77, 1086 (1995). jap JAPIAU 0021-8979
14. O. Nur, M. Willander, H. H. Radamson, M. R. Sardela, G. V. Hansson, C. S. Peterson, and K. Maex, Appl. Phys. Lett. 64, 440 (1994). apl APPLAB 0003-6951
15. H. J. Huang, K. M. Chen, C. Y. Chang, T. Y. Huang, L. P. Chen, and G. W. Huang, J. Appl. Phys. 88, 1831 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
16. J. A. Floro and E. Chason, Appl. Phys. Lett. 69, 3830 (1996). apl APPLAB 0003-6951
17. J. Y. Yew, H. C. Tseng, L. J. Chen, K. Nakamura, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 69, 3692 (1996). apl APPLAB 0003-6951