Effects of composition on the formation temperatures and electrical resistivities of C54 titanium germanosilicide in Ti-Si1-xGex systems

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 3, 1999, Pages 1340-1345

  Lai, J B ^a   Chen, L J ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001153888     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370892     Document Type: Article

References (44)

1. T. E. Whall and H. C. Parker, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 6, 249 (1995).
2. K. L. Wang, S. G. Thomas, and M. O. Tanner, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 6, 311 (1995).
3. A. G. O'Neill and D. A. Antoniadis, IEEE Trans. Electron Devices 43, 911 (1996).
4. R. A. Merzer, Compd. Semicond. Nov/Dec, 21 (1995).
5. J. A. Tsai and R. Reif, Appl. Phys. Lett. 66, 1809 (1995).
6. I. S. Goh, J. F. Zhang, S. Hall, W. Eccleston, and K. Himpsel, Semicond. Sci. Technol. 10, 818 (1995).
7. I. S. Goh, S. Hall, W. Eccleston, J. F. Zhang, and K. Himpsel, Electron. Lett. 30, 1988 (1994).
8. F. K. LeGoues, R. Rosenberg, T. Nguyen, F. Himpsel, and B. S. Meyersen, J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).
9. Y. J. Mii and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
10. P. M. Mooney, L. Tilly, C. P. D'Emic, J. O. Chu, F. Cardone, F. K. LeGoues, and B. S. Meyerson, J. Appl. Phys. 82, 688 (1997).
11. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322 (1985).
12. Q. Z. Hong and J. W. Mayer, J. Appl. Phys. 66, 611 (1989).
13. P. J. Wang, C. A. Chang, B. S. Meyerson, J. O. Chu, and M. J. Teiwani, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 260, 863 (1992).
14. H. K. Liou, X. Wu, U. Gennser, V. P. Kesan, S. S. Iyer, K. N. Tu, and E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. 60, 577 (1992).
15. A. Buxbaum, M. Eizenberg, A. Raizmann, and F. Schaffler, Appl. Phys. Lett. 59, 665 (1991).
16. V. Aubry, F. Meyer, R. Laval, C. Clerc, P. Warren, and D. Dutartre, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 320, 299 (1992).
17. R. D. Thompson, K. N. Tu, J. Angillelo, S. Delage, and S. S. Lyer, J. Electrochem. Soc. 135, 3161 (1988).
18. O. Thomas, F. M. d'Heurle, S. Delage, and G. Scilla, Appl. Surf. Sci. 38, 27 (1989).
19. O. Thomas, F. M. d'Heurle, and S. Delage, J. Mater. Res. 5, 1453 (1990).
20. D. B. Aldrich, Y. L. Chen, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich, J. Mater. Res. 10, 2849 (1995).
21. D. B. Aldrich, Y. L. Chen, D. E. Sayers, R. J. Nemanich, S. P. Ashbun, and M. C. Ozturk, J. Appl. Phys. 77, 5107 (1995).
22. J. B. Lai, C. S. Liu, L. J. Chen, and J. Y. Cheng, J. Appl. Phys. 78, 6539 (1995).
23. Z. Wang, D. B. Aldrich, R. J. Nemanich, and D. E. Sayers, J. Appl. Phys. 82, 2342 (1997).
24. J. B. Lai and L. J. Chen (unpublished).
25. W. J. Qi, B. Z. Li, W. N. Huang, and Z. Q. Gu, J. Appl. Phys. 77, 1086 (1995).
26. Z. Wang, D. B. Aldrich, Y. L. Chen, D. E. Sayers, and R. J. Nemanich, Thin Solid Films 270, 397 (1995).
27. R. Beyers and R. Sinclair, J. Appl. Phys. 57, 5240 (1985).
28. F. M. d'Heurle, P. Gas, I. Engstrom, S. Nygren, M. Ostling, and C. S. Petersson, IBM RC Report No. 11151, Yorktown Heights, NY (1985).
29. J. Lasky, J. Nakos, O. Cain, and P. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2629 (1991).
30. O. Thomas, S. Delage, F. M. d'Heurle, and G. Scilla, Appl. Phys. Lett. 54, 228 (1989).
31. S. P. Ashburn, M. C. Ozturk, J. J. Wortman, G. Harris, J. Honeycutt, and D. M. Maher, J. Electron. Mater. 21, 81 (1992).
32. K. Maex, Mater. Sci. Eng., R. 11, 53 (1993).
33. S. L. Cheng, H. Y. Huang, Y. C. Peng, L. J. Chen, B. Y. Tsui, C. J. Tsai, and S. S. Guo, Appl. Phys. Lett. 74, 1405 (1999).
34. Y. F. Heish, L. J. Chen, E. D. Marshall, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 51, 1588 (9187).
35. Z. Wang, Y. L. Chen, H. Ying, R. J. Nemanich, and D. E. Sayer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 320, 397 (1994).
36. Y. L. Khait and R. Weil, J. Appl. Phys. 78, 6504 (1995).
37. W. Freiman, A. Eyal, Y. L. Khait, R. Beserman, and K. Dettmer, Appl. Phys. Lett. 69, 3821 (1996).
38. K. N. Tu, J. W. Mayer, and L. C. Feldman, Electronic Thin Film Science for Electrical Engineers and Materials Science (Macmillan, New York, 1992).
39. N. Boutarek and R. Madar, Appl. Surf. Sci. 73, 209 (1993).
40. M. E. Schlesinger, Chem. Rev. 90, 607 (1990).
41. F. R. deBoer, R. Boom, W. C. M. Mattens, A. R. Miedema, and A. K. Niessen, Cohesion in Metals: Transition Metal Alloys (North-Holland, New York, 1988).
42. R. Pretorius, T. K. Marais, and C. C. Theron, Mater. Sci. Eng., R. 10, 1 (1993).
43. P. L. Rossiter, The Electrical Resistivity of Metals and Alloys (Cambridge University Press, London, 1987).
44. K. Schroder, in High Conductivity Copper and Aluminum Alloys, edited by E. Ling and P. W. Taubenblat (The Metallurgical Society of AIME, New York, 1984), p. 4.