160-A bulk GaN Schottky diode array

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 15, 2003, Pages 3192-3194

  Baik, K H ^a   Irokawa, Y ^b   Kim, Jihyun ^a   LaRoche, J R ^a   Ren, F ^a   Park, S S ^c   Park, Y J ^c   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b Rd Management Section   (Japan)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); ELECTRIC BREAKDOWN; GALLIUM NITRIDE; GROWTH (MATERIALS);

RECTIFIER ARRAYS;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 0242348680     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1618022     Document Type: Article

References (24)

1. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J.-I. Chi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, IEEE Trans. Electron Devices 48, 407 (2001).
2. E. R. Brown, Solid-State Electron. 42, 2117 (1998).
3. M. Trivedi and K. Shenai, J. Appl. Phys. 85, 6889 (1999).
4. T. G. Zhu, D. J. Lambert, B. S. Shelton, M. M. Wong, V. Chowdhurg, and R. D. Dupis, Appl. Phys. Lett. 77, 2918 (2000).
5. A. P. Zhang, J. W. Johnson, F. Ren, J. Han, A. J. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, J. M. Redwing, K. P. Lee, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 78, 823 (2001).
6. M. S. Shur, Solid-State Electron. 42, 2131 (1998).
7. A. P. Zhang, G. Dang, F. Ren, J. Han, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, N. V. Govorkov, J. M. Redwing, X. A. Cao, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 76, 1767 (2000).
8. J. W. Johnson, A. P. Zhang, W.-B. Luo, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, Y. J. Park, and J.-I. Chyi, IEEE Trans. Electron Devices 49, 32 (2002).
9. V. Khemka, R. Patel, T. P. Chow, and R. J. Gutmann, Solid-State Electron. 43, 1945 (2000).
10. D. T. Morisette, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, G. M. Dolny, P. M. Shenoy, M. Zafrani, and J. Gladish, IEEE Trans. Electron Devices 48, 349 (2001).
11. R. Held, N. Kaminski, and E. Niemann, Mater. Sci. Forum 264-268, 1057 (1998).
12. P. Alexandrov, J. H. Zhao, W. Wright, M. Pan, and M. Weiner, Electron. Lett. 37, 1139 (2001).
13. A. R. Hefner, Jr., R. Singh, J. Lai, D. W. Berning, S. Bouche, and C. Chapuy, IEEE Trans Power Electron. 16, 273 (2001).
14. R. Singh, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, T. P. Chow, and J. W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices 49, 665 (2002).
15. J. B. Casady, A. K. Agarwal, S. Seshadri, R. R. Siergiej, L. B. Rowland, M. F. Macmillan, D. C. Sheridan, D. A. Sanger, and C. D. Brandt, Solid-State Electron. 42, 2165 (1998).
16. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman and L. N. Pfeitter, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
17. P. G. Neudeck and C. Fazi, IEEE Electron Device Lett. 18, 67 (1997).
18. S. S. Park, I. W. Park, and S. H. Choh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L1141 (2000).
19. K. H. Baik, Y. Irokawa, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, and Y. J. Park, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2169 (2002); K. H. Baik, Y. Irokawa, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, and Y. J. Park, Solid-State Electron. 47, 975 (2003).
20. K. H. Baik, Y. Irokawa, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, and Y. J. Park, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2169 (2002); K. H. Baik, Y. Irokawa, F. Ren, S. J. Pearton, S. S. Park, and Y. J. Park, Solid-State Electron. 47, 975 (2003).
21. K. Ip, K. H. Baik, B. Luo, S. J. Pearton, S. S. Park, Y. J. Park, and A. P. Zhang, Solid-State Electron. 46, 2171 (2002).
22. G. T. Heydt and B. J. Skromme, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 483, 3 (1998).
23. R. T. Kemerley, H. B. Wallace, and M. N. Yoder, Proc. IEEE 90, 1059 (2002).
24. T. Ericsen, Proc. IEEE 90, 1077 (2002).