Electronic structure of thin film silicon oxynitrides measured using soft x-ray emission and absorption

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 6, 2003, Pages 3919-3922

  McGuinness, Cormac ^a   Fu, Dongfeng ^a   Downes, James E ^a   Smith, Kevin E ^a   Hughes, Gregory ^b   Roche, Jason ^b  

^a Boston University   (United States)

^b DUBLIN CITY UNIVERSITY   (Ireland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRONIC STRUCTURE; SILICON COMPOUNDS; X RAY SPECTROSCOPY;

CONDUCTION BANDS;

THIN FILMS;

EID: 0141886926     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1599629     Document Type: Article

References (29)

1. M. L. Green, E. P. Gusev, R. Degraeve, and E. L. Garfunkel, J. Appl. Phys. 90, 2057 (2001).
2. H. Yang, H. Niimi, Y. Wu, G. Lucovsky, J. W. Keister, and J. E. Rowe, Microelectron. Eng. 48, 307 (1999).
3. G. Lucovsky, H. Yang, H. Niimi, M. F. Thorpe, and J. C. Phillips, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2179 (2000).
4. D. M. Brown, P. V. Gray, F. K. Heumann, H. R. Philipp, and E. A. Taft, J. Electrochem. Soc. 115, 311 (1968).
5. C. Ance, F. de Chelle, J. P. Ferraton, G. Leveque, P. Ordejon, and F. Yndurain, Appl. Phys. Lett. 60, 1399 (1992).
6. H. Ono, T. Ikarashi, Y. Miura, E. Hasegawa, K. Ando, and T. Kitano, Appl. Phys. Lett. 74, 203 (1999).
7. J. W. Keister, J. E. Rowe, J. J. Kolodziej, H. Niimi, H. S. Tao, T. E. Madey, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1250 (1999).
8. 2 Interface, edited by H. Z. Massoud (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1996), p. 441.
9. S. Miyazaki, T. Tamura, M. Ogasawara, H. Itokawa, H. Murakami, and M. Hirose, Appl. Surf. Sci. 159, 75 (2000).
10. P. Ryan, C. McGuinness, J. E. Downes, K. E. Smith, D. Doppalapudi, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 65, 205201 (2002).
11. L.-C. Duda, C. B. Stagarescu, J. Downes, K. E. Smith, D. Korakakis, T. D. Moustakas, J. Guo, and J. Nordgren, Phys. Rev. B 58, 1928 (1998).
12. P. O. Nilsson, J. Kanski, J. V. Thordson, T. G. Andersson, J. Nordgren, J. Guo, and M. Magnuson, Phys. Rev. B 52, R8643 (1995).
13. P. O. Nilsson, S. Mankefors, and E. Lundgren, J. Alloys Compd. 286, 31 (1999).
14. K. J. Randall, W. Eberhardt, J. Feldhaus, W. Erlebach, A. M. Bradshaw, Z. Xu, P. D. Johnson, and Y. Ma, Nucl. Instram. Methods Phys. Res. A 319, 101 (1992).
15. J. Nordgren, G. Bray, S. Cramm, R. Nyholm, J. E. Rubensson, and N. Wassdahl, Rev. Sci. Instrum. 60, 1690 (1989).
16. U. v. Barth and G. Grossmann, Phys. Rev. B 25, 5150 (1982).
17. D. G. J. Sutherland, H. Akatsu, M. Copel, F. J. Himpsel, T. A. Callcott, J. A. Carlisle, D. L. Ederer, J. J. Jia, I. Jimenez, R. Perera, D. K. Shuh, L. J. Terminello, and W. M. Tong, J. Appl. Phys. 78, 6761 (1995).
18. C. B. Stagarescu, L. C. Duda, K. E. Smith, J. H. Guo, J. Nordgren, R. Singh, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 54, 17335 (1996).
19. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
20. D. A. Muller, T. Sorsch, S. Moccio, F. H. Baumann, K. Evans-Luterrodt, and G. Timp, Nature (London) 399, 758 (1999).
21. J. R. Shallenberger, D. A. Cole, and S. W. Novak, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1086 (1999).
22. Y. Saito and S. Iguchi, Appl. Surf. Sci. 132, 187 (1998).
23. Y. N. Xu and W. Y. Ching, Phys. Rev. B 51, 17379 (1995).
24. G. Pacchioni and D. Erbetta, Phys. Rev. B 60, 12617 (1999).
25. A. L. Ivanovskii, Russ. J. Inorg. Chem. 46, S15 (2001).
26. G. Wiech and A. Simunek, Phys. Rev. B 49, 5398 (1994).
27. P. Glans, P. Skytt, K. Gunnelin, J. H. Guo, and J. Nordgren, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 82, 193 (1996).
28. S. M. Butorin, J. H. Guo, N. Wassdahl, and E. J. Nordgren, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 110, 235 (2000).
29. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).