Via-filling capability of copper film by CVD

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 150, Issue 7, 2003, Pages

  Lin, Cheng Li ^a   Chen, Peng Sen ^a   Lin, Yu Chin ^a   Tsui, Bing Yue ^a   Chen, Mao Chieh ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADHESION; ASPECT RATIO; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DEGRADATION; DIFFUSION; HELIUM; LOW TEMPERATURE EFFECTS; MAGNETRON SPUTTERING; TANTALUM; THIN FILMS;

CARRIER GAS; COPPER FILM; VIA FILLING CAPACITY;

COPPER;

EID: 0038783362     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1575739     Document Type: Article

References (26)

1. A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2107 (1993).
2. N. Awaya, H. Inokawa, E. Yamamoto, Y. Okazaki, M. Miyake, Y. Arita, and T. Kobayashi, IEEE Trans. Electron Devices, ED-43, 1206 (1996).
3. R. Kroger, M. Eizenberg, D. Cong, N. Yoshida, L. Y. Chen, S. Ramaswami, and D. Carl, J. Electrochem. Soc., 146, 3248 (1999).
4. C. H. Lee, K. H. Shen, T. K. Ku, C. H. Luo, C. C. Tso, H. W. Chou, and C. Hsia in the 3rd Annual IEEE International Interconnect Technology Conference, June 5-7, p. 242 (2000).
5. B. Chin, P. Ding, B. Sun, T. Chiang, D. Angelo, I. Hashim, Z. Xu, S. Edelstein, and F. Chen, Solid State Technol., 41, 141 (1998).
6. R. L. Jackson, E. Broadbent, T. Cacouris, A. Harrus, M. Biberger, E. Patton, and T. Walsh, Solid State Technol., 41, 49 (1998).
7. Y. Shacham-Diamand and S. Lopatin, Microelectron. Eng., 37/38, 77 (1997).
8. H. Park, W. Koh, S. M. Choi, K. C. Park, H. K. Kang, J. T. Moon, K. Shim, H. Lee, O. Kwon, and S. Kang in the 3rd Annual IEEE International Interconnect Technology Conference, June 5-7, p. 12 (2001).
9. P. Motte, M. Proust, J. Torres, Y. Gobil, Y. Morand, J. Palleau, R. Pantel, and M. Juhel, Microelectron. Eng., 50, 369 (2000).
10. A. Burke, G. Braeckelmann, D. Manger, E. Eisenbraun, and A. E. Kaloyeros, J. Appl. Phys., 82, 4651 (1997).
11. A. Kobayashi, A. Sekiguchi, and O. Okada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 37, 6358 (1998).
12. A. Kobayashi, A. Sekiguchi, T. Koide, O. Okada, M. Zhang, A. Egami, and H. Sunayama, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 2256 (1999).
13. K. C. Park, S. M. Choi, S. J. Lee, K. H. Chang, H. D. Lee, H. K. Kang, and S. I. Lee, in the 3rd Annual IEEE International Interconnect Technology Conference, June 5-7, p. 43 (2000).
14. K. K. Choi and S. W. Rhee, J. Electrochem. Soc., 148, C473 (2001).
15. J. A. T. Norman, B. A. Mutamore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, and A. K. Hochberg, J. Phys. IV, 1, C2 (1991).
16. T. Nguyen, L. J. Charneski, and S. T. Hsu, J. Electrochem. Soc., 144, 2829 (1997).
17. J. A. T. Norman, D. A. Roberts, A. K. Hochberg, P. Smith, G. A. Petersen, J. E. Parmeter, C. A. Apblett, and T. R. Omstead, Thin Solid Films, 262, 46 (1995).
18. N. Awaya and Y. Arita, Thin Solid Films, 262, 12, (1995).
19. A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc., 140, 1434 (1993).
20. S. S. Yoon, J. S. Min, and J. S. Chun, J. Mater. Sci., 30, 2029 (1995).
21. P. J. Lin and M. C. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 4863 (1999).
22. R. Kroger, M. Eizenberg, D. Cong, N. Yoshida, L. Y. Chen, S. Ramaswami, and D. Carl, Microelectron. Eng., 50, 375 (2000).
23. S. Gandikota, S. Voss, R. Tao, A. Duboust, D. Cong, L. Y. Chen, S. Ramaswami, and D. Carl, Microelectron. Eng., 50, 547 (2000).
24. L. Y. Cheng, J. P. McVittie, and K. C. Saraswat, Appl. Phys. Lett., 58, 2147 (1991).
25. J. P. McVittie, J. C. Rey, A. J. Bariya, M. M. IslamRaja, L. Y. Cheng, S. Ravi, and K. C. Saraswat, Proc. SPIE, 1392, 126 (1991).
26. M. L. Hitchman and K. F. Jensen, Chemical Vapor Deposition, p. 53, Academic Press Ltd., New York (1993).