Optical and electrical properties of GaN/AlN superlattices grown on Si(1 1 1) substrate by pulsed laser deposition

Applied Surface Science

Volumn 217, Issue 1-4, 2003, Pages 28-33

  Tong, X L ^a   Zheng, Q G ^a   Qin, Y X ^a   Yu, B H ^a   Xi, Z J ^a   Ding, Z H ^a  

^a HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

GaN AlN; Properties; Pulsed laser deposition; Superlattice

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; PULSED LASER DEPOSITION; RAMAN SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

STRAINED LAYERS;

SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES;

EID: 0038200892     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(03)00568-3     Document Type: Article

References (24)

1. Vispute R.D., Talyansky V., Sharma R.P., Choopun S., Downes M., Venkatesan T., Jones K.A., Lliadis A.A., Asifkhan M., Yang J.W. Appl. Phys. Lett. 71:1997;102.
2. Sun X.W., Xiao R.F., Kwok H.S. J. Appl. Phys. 84:1998;5776.
3. Kim M.-H., Bang Y.-C., Park N.-M., Choi C.-J., Seong T.-Y., Park S.-J. Appl. Phys. Lett. 78:2001;2858.
4. Honda Y., Kuroiwa Y., Yamaguchi M., Sawakj N. Appl. Phys. Lett. 80:2002;222.
5. Nishida K., Hagiwara S., Teranishi M., Sirakawa O., Hirakai A., Katoda T. J. Appl. Phys. 91:2002;5155.
6. Talwar D.N. Mater. Sci. Eng. B47:1997;157.
7. Park C.I., Kang J.H., Kim K.C., Nahm K.S., Suh E.-K., Lim K.Y. Thin Solid Films. 401:2001;60.
8. Lahrèche H., Nataf G., Feltin E., Beaumont B., Gibart P. J. Cryst. Growth. 231:2001;329.
9. Yamaguchi S., Lwamura Y., Watanabe Y., Kosaki M., Yukawa Y., Nitta S., Yama S.K., Amano H., Akasaki I. Appl. Phys. Lett. 80:2002;802.
10. Glerize J., Demangeot F., Frandon J., Renucci M.A., Widmann F., Daudin B. Appl. Phys. Lett. 74:1999;703.
11. Zhang G.Y., Tong Y.Z., Yang Z.J. Appl. Phys. Lett. 71:1997;3376.
12. Kozawa T., Kachi T., Kano H., Taga Y., Hashimoto M., Koide N., Manabe K. J. Appl. Phys. 75:1994;1098.
13. Tabata A., Enderlein R., Leite J.R., da Silva S.W., Galzerani J.C., Schikora D., Kloidt M., Lischka K., Galzerani J.C., Schikora D., Kloidt M., Lischka K. J. Appl. Phys. 79:1996;4137.
14. Gleize J., Frandon J., Demangeot F., Renucci M.A., Kuball M., Hayes J.M., Widmann F., Daudin B. Mater. Sci. Eng. B. 82:2001;27.
15. Popovici G., Xu G.Y., Botchkarev A., Kim W., Tang H., Salvador A., Morkoc H., Strange R., White J.O. J. Appl. Phys. 82:1997;4020.
16. Benyoucef M., Kuball M., Beaumont B., Gibart P. Appl. Phys. Lett. 80:2002;2275.
17. Behr D., Niebuhr R., Wanger J., Bachem K.-H., Kaufmann U. Appl. Phys. Lett. 70:1997;363.
18. Pusep Yu.A., Silva M.T.O., Fernandez J.R.L., Chitta V.A., Leite J.R., Frey T., Jas D., Schikora D., Lischka K. J. Appl. Phys. 91:2002;6197.
19. Zubrilov A.S., Nikishin S.A., Kipshidze G.D., Kuryatkov V.V., Temkin H., Prokofyeve T.I., Holtz M. J. Appl. Phys. 91:2002;1209.
20. Demangeot F., Gleize J., Frandon J., Renucci M.A., Kuball M., Peyrade D., Manin-Ferlazzo L., Chen Y., Grandjean N. J. Appl. Phys. 91:2002;2866.
21. Chichibu S., Azuhata T., Sota T., Nakamura S. J. Appl. Phys. 79:2002;2784.
22. Tripathy S., Chua S.J., Hao M.S., Sia E.K., Raman A., Zhang J., Sun W.H., Wang L.S. J. Appl. Phys. 91:2002;5840.
23. Namkoong G., Doolittle W.A., Brown A.S., Losurdo M., Capezzuto P., Bruno G. J. Appl. Phys. 91:2002;2499.
24. Huang H.Y., Chuang C.H., Shu C.K., Pan Y.C., Lee W.H., Chen W.K., Lee M.C. Appl. Phys. Lett. 80:2002;3349.