Growth of high-quality GaN on Si(111) substrate by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 19, 2001, Pages 2858-2860

  Kim, Min Ho ^a   Bang, Young Churl ^a   Park, Nae Man ^a   Choi, Chel Jong ^a   Seong, Tae Yeon ^a   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035820756     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1371539     Document Type: Article

References (21)

1. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. A. Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1996).
2. A. Strittmatter, A. Krost, M. Straßburg, V. Türck, D. Bimberg, J. Bläsing, and J. Christen, Appl. Phys. Lett. 74, 1242 (1999).
3. H. Zhang, Z. Ye, and B. Zhao, J. Appl. Phys. 87, 2830 (2000).
4. Y. Nakada, I. Aksenov, and H. Okumura, Appl. Phys. Lett. 73, 827 (1998).
5. L. Wang, X. Liu, Y. Zan, J. Wang, D. Wang, D. Lu, and Z. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 109 (1998).
6. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999).
7. F. Semond, B. Damilano, S. Vézian, N. Grandjean, M. Leroux, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75, 82 (1999).
8. M. A. Sánchez-García, E. Calleja, F. J. Sanchez, F. Calle, E. Monroy, D. Basak, E. Muñoz, C. Villar, A. Sanz-Hervas, M. Aguilar, J. J. Serrano, and J. M. Blanco, J. Electron. Mater. 27, 276 (1998).
9. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998).
10. C. A. Tran, A. Osinski, R. F. Karlicek, Jr., and I. Berishev, Appl. Phys. Lett. 75, 1494 (1999).
11. J. W. Yang, A. Lunev, G. Simin, A. Chitnis, M. Shatalov, M. A. Khan, J. E. Van Nostrand, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 76, 273 (2000).
12. M. A. Sánchez-García, F. B. Naranjo, J. L. Pau, A. Jiménez, E. Calleja, and E. Muñoz, J. Appl. Phys. 87, 1569 (2000).
13. L. P. Chen, C. T. Chou, G. W. Huang, W. C. Tsai, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 67, 3001 (1995).
14. L. P. Chen, G. W. Huang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 68, 1498 (1996).
15. D.-S. Hwang, T. Yasuda, K. Ikuta, S. Yamasaki, and K. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1087 (1998).
16. W. J. Meng and T. A. Perry, J. Appl. Phys. 76, 7824 (1994).
17. A. Ohtani, K. S. Stevens, and R. Beresford, Appl. Phys. Lett. 65, 61 (1994).
18. X. Zhang, S.-J. Chua, P. Li, K.-B. Chong, and Z.-C. Feng, Appl. Phys. Lett. 74, 1984 (1999).
19. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
20. T. W. Weeks. Jr., M. D. Bremser, K. S. Ailey, E. Carlson, W. G. Perry, E. L. Piner, N. A. El-Masry, and R. F. Davis, J. Mater. Res. 11, 1011 (1996).
21. H. P. D. Schenk, G. D. Kipshidze, V. B. Lebedev, S. Shokhovets, R. Goldhahn, J. Kräußlich, A. Fissel, and W. Richter, J. Cryst. Growth 201/202, 359 (1999).