Free-standing GaN grown on epitaxial lateral overgrown GaN substrates

Journal of Crystal Growth

Volumn 255, Issue 3-4, 2003, Pages 277-281

  Martinez Criado, G ^a,d   Kuball, M ^a   Benyoucef, M ^a   Sarua, A ^a   Frayssinet, E ^b   Beaumont, B ^b   Gibart, P ^b   Miskys, C R ^c   Stutzmann, M ^c  

^a UNIVERSITY OF BRISTOL   (United Kingdom)

^b LUMILOG   (France)

^c WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

^d UNIVERSITY OF VALENCIA   (Spain)

Author keywords

A1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A3. Epitaxial lateral overgrowth; A3. Laser lift off; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides

Indexed keywords

METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; QUENCHING; RAMAN SCATTERING;

EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0037525237     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01293-4     Document Type: Article

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