High-Al-content crack-free AlGaN/GaN bragg mirrors grown by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 4, 2003, Pages 499-501

  Natali, F ^a   Byrne, D ^a   Dussaigne, A ^a   Grandjean, N ^a   Massies, J ^a   Damilano, B ^a,b  

^a CRHEA CNRS   (France)

^b Picogiga International   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; REFRACTIVE INDEX; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; STRAIN;

DISTRIBUTED BRAGG REFLECTORS (DBR);

MIRRORS;

EID: 0037468005     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1539297     Document Type: Article

References (19)

1. T. Someya, K. Tachibana, J. Lee, T. Kamiya, and Y. Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1424 (1998).
2. I. L. Krestnikov, W. V. Lundin, A. V. Sakharov, V. A. Semenov, A. S. Usikov, A. F. Tsatsul'nikov, Z. I. Alferov, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 75, 1192 (1999).
3. Y.-K. Song, H. Zhou, M. Diagne, A. V. Nurmikko, R. P. Schneider, C. P. Kuo, M. R. Krames, R. S. Kern, C. Carter-Coman, and F. A. Kish, Appl. Phys. Lett. 76, 1662 (2000).
4. M. Diagne, Y. He, H. Zhou, E. Makaronp, A. V. Nurmikko, J. Han, K. E. Waldrip, J. J. Figiel, T. Takeuchi, and M. Krames, Appl. Phys. Lett. 79, 3720 (2001).
5. N. Nakada, M. Nakaji, H. Ishikawa, T. Egawa, M. Umeno, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 76, 1804 (2000).
6. F. B. Naranjo, S. Fernàndez, M. A. Sànchez-Garcià, F. Calle, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 80, 2198 (2002).
7. B. Roycroft, M. Akhter, P. Maaskant, P. De Mierry, S. Fernandez, F. B. Naranjo, E. Calleja, T. McCormack, and B. Corbett, Phys. Status Solidi A 192, 97 (2002).
8. H. M. Ng, T. D. Moustakas, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 76, 2818 (2000).
9. S. Fernandez, F. B. Naranjo, F. Calle, M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, P. Venneguès, A. Trampert, and K. H. Ploog, Semicond. Sci. Technol. 16, 913 (2001).
10. S. Einfeldt, V. Kirchner, H. Heinke, M. Diesselberg, S. Figge, K. Vogeler, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 88, 7029 (2000).
11. N. Nakada, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Cryst. Growth 237, 961 (2002).
12. B. Gil, O. Briot, and R. L. Aulombard, Phys. Rev. B 52, R17028 (1995).
13. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laügt, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 71, 240 (1997).
14. K. Kawaguchi, S. Koh, Y. Shiraki, and J. Zhang, Appl. Phys. Lett. 79, 476 (2001).
15. R. Langer, A. Barski, J. Simon, N. T. Pelekanos, O. Konovalov, R. André, and Le Si Dang, Appl. Phys. Lett. 74, 3610 (1999).
16. H. P. D. Schenk, P. De Mierry, P. Vennéguès, O. Tottereau, M. Laügt, M. Vaille, E. Feltin, B. Beaumont, P. Gibart, S. Fernandez, and F. Calle, Appl. Phys. Lett. 80, 174 (2001).
17. H. Benisty, H. De Neve, and C. Weisbuch, IEEE J. Quantum Electron. 34, 1632 (1998).
18. A. Shaw, T. McCormack, A. L. Bradley, J. G. Lunney, and J. F. Donegan, Phys. Status Solidi A 192, 103 (2002).
19. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freundenberg, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).