Ge hut cluster luminescence below bulk Ge band gap

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 3, 2003, Pages 454-456

  Denker, U ^a   Stoffel, M ^a   Schmidt, O G ^a   Sigg, H ^b  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^b PAUL SCHERRER INSTITUTE   (Switzerland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ANNEALING; ENERGY GAP; GERMANIUM; THERMAL EFFECTS;

EMISSION ENERGY;

PHOTOLUMINESCENCE;

EID: 0037455110     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1537437     Document Type: Article

References (26)

1. Y. W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
2. B. Voigtländer, Surf. Sci. Rep. 43, 127 (2001), and references therein.
3. G. Capellini, M. De Seta, and F. Evangelisti, Appl. Phys. Lett. 78, 303 (2001).
4. O. G. Schmidt, C. Lange, and K. Eberl, Appl. Phys. Lett. 75, 1905 (1999).
5. M. W. Dashiell, U. Denker, and O. G. Schmidt, Appl. Phys. Lett. 79, 2261 (2001).
6. C. Miesner, K. Brunner, and G. Abstreiter, Thin Solid Films 380, 180 (2000).
7. A. I. Yakimov, N. P. Stepina, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and A. V. Nenashev, Phys. Rev. B 63, 045312 (2001).
8. D. Dentel, J. L. Bischoff, L. Kubler, J. Werckmann, and M. Romeo, J. Cryst. Growth 191, 697 (1998).
9. B. Vögeli, M. Kummer, and H. von Känel, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 533, 209 (1998); M. Kummer, B. Vögeli, and H. von Känel, Mater. Sci. Eng., B 69, 247 (2000).
10. B. Vögeli, M. Kummer, and H. von Känel, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 533, 209 (1998); M. Kummer, B. Vögeli, and H. von Känel, Mater. Sci. Eng., B 69, 247 (2000).
11. O. G. Schmidt, U. Denker, K. Eberl, O. Kienzle, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 77, 2509 (2000); N. V. Vostokov, Y. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, and A. N. Yáblonski, JETP Lett. 76, 365 (2002).
12. O. G. Schmidt, U. Denker, K. Eberl, O. Kienzle, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 77, 2509 (2000); N. V. Vostokov, Y. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, and A. N. Yáblonski, JETP Lett. 76, 365 (2002).
13. S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, and S. Komiyama, Appl. Phys. Lett. 71, 258 (1997).
14. T. Baier, U. Mantz, K. Thonke, R. Sauer, F. Schäffler, and H. J. Herzog, Phys. Rev. B 50, 15191 (1994).
15. O. G. Schmidt, C. Lange, and K. Eberl, Phys. Status Solidi B 215, 319 (1999).
16. J. Wan, Y. H. Luo, Z. M. Jiang, G. Jin, J. L. Liu, K. L. Wang, X. Z. Liao, and J. Zou, Appl. Phys. Lett. 79, 1980 (2001); J. Wan, G. L. Jin, Z. M. Jiang, Y. H. Luo, J. L. Liu, and K. L. Wang, ibid. 78, 1763 (2001).
17. J. Wan, Y. H. Luo, Z. M. Jiang, G. Jin, J. L. Liu, K. L. Wang, X. Z. Liao, and J. Zou, Appl. Phys. Lett. 79, 1980 (2001); J. Wan, G. L. Jin, Z. M. Jiang, Y. H. Luo, J. L. Liu, and K. L. Wang, ibid. 78, 1763 (2001).
18. P. Boguslawski and J. Bernholc, Phys. Rev. Lett. 88, 166101 (2002); X. R. Qin, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, ibid. 84, 4645 (2000); 85, 3660 (2000).
19. P. Boguslawski and J. Bernholc, Phys. Rev. Lett. 88, 166101 (2002); X. R. Qin, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, ibid. 84, 4645 (2000); 85, 3660 (2000).
20. P. Boguslawski and J. Bernholc, Phys. Rev. Lett. 88, 166101 (2002); X. R. Qin, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, ibid. 84, 4645 (2000); 85, 3660 (2000).
21. C. G. Van de Walle and R. M. Martin, Phys. Rev. B 34, 5621 (1986).
22. O. G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, and F. Ernst, Appl. Phys. Lett. 71, 2340 (1997).
23. A. I. Yakimov, N. P. Stepina, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and A. V. Nenashev, Semicond. Sci. Technol. 15, 1125 (2000).
24. O. G. Schmidt, K. Eberl, and Y. Rau, Phys. Rev. B 62, 16715 (2000).
25. A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, and A. I. Yakimov, Nanotechnology 13, 75 (2002).
26. X. Xiao, C. W. Liu, J. C. Sturm, L. C. Lenchyshyn, M. L. W. Thewalt, R. B. Gregory, and P. Fejes, Appl. Phys. Lett. 60, 2135 (1992).