Study of deleterious aging effects in GaN/AlGaN heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 2, 2003, Pages 1079-1082

  Elhamri, S ^a,d   Saxler, A ^a,e   Mitchel, W C ^a   Berney, R ^a,d   Elsass, C ^b   Smorchkova, Y ^b   Mishra, U K ^b   Speck, J S ^b   Chowdhury, U ^c   Dupuis, R D ^c  

^a AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b University of California   (United States)

^c The University of Texas at Austin   (United States)

^d UNIVERSITY OF DAYTON   (United States)

^e Arkansas Power Electronics International Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AGING OF MATERIALS; CARRIER CONCENTRATION; CARRIER MOBILITY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; HALL EFFECT; HYDROCHLORIC ACID; OXIDATION; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

ELECTRON SATURATION VELOCITY;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0037439469     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1529074     Document Type: Article

References (21)

1. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, G. Dang, X. A. Cao, K. P. Lee, H. Cho, B. P. Gila, J. W. Johnson, C. Monier, C. R. Abernathy, J. Han, A. G. Baca, J.-I. Chyi, C.-M. Lee, T.-E. Nee, C.-C. Chuo, and S. N. G. Chu, Mater. Sci. Eng., B 82, 227 (2001).
2. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
3. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
4. L. McCarthy, P. Kozodoy, M. Rodwell, S. DenBaars, and U. Mishra, Compound Semicond. 4, 16 (1998).
5. O. Aktas, Z. F. Fan, S. N. Mohammed, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 3872 (1996).
6. L. Hsu and W. Walukiewicz, J. Appl. Phys. 89, 1783 (2001).
7. X. Xing, S. Keller, Y.-F. Wu, L. McCarthy, I. P. Smorchkova, D. Buttari, R. Coffie, D. S. Green, G. Parish, S. Hiekman, L. Shen, N. Zhang, J. J. Xu, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Phys.: Condens. Matter 13, 7139 (2001).
8. E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, F. Omnes, and P. Gibart, J. Phys.: Condens. Matter 13, 7115 (2001).
9. P. Sandvik, K. Mi, F. Shahedipour, R. McClintock, A. Yasan, P. Kung, and M. Razeghi, J. Cryst. Growth 231, 366 (2001).
10. U. K. Mishra, Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. DenBaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
11. R. Gaska, M. S. Shur, T. A. Fjeldly, and A. D. Bykhovski, J. Appl. Phys. 85, 3009 (1999).
12. A. Saxler, P. Debray, R. Perrin, S. Elhamri, W. C. Mitchel, C. R. Elsass, I. P. Smorchkova, B. Heying, E. Haus, P. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 87, 369 (2000).
13. J. Antoszewski, M. Gracey, J. M. Dell, L. Faraone, T. A. Fisher, G. Parish, Y. F. Wu, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 87, 3900 (2000).
14. I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquiere, A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U. K. Mishra, I. P. Smorchkova, S. Keller, N. X. Nguyen, C. Nguyen, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 22, 62 (2001).
15. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
16. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 3527 (2001).
17. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001).
18. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001).
19. B. K. Ridley, J. Appl. Phys. 90, 6135 (2001).
20. J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
21. X. Z. Dang, E. T. Yu, E. J. Piner, and B. T. McDermott, J. Appl. Phys. 90, 1357 (2001).