Impact ionization probabilities as functions of two-dimensional space and time

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 5, 2001, Pages 2742-2751

  Plimmer, S A ^a   David, J P R ^a   Jacob, B ^a   Rees, G J ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000708996     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1342190     Document Type: Article

References (30)

1. R. J. McIntyre, IEEE Trans. Electron Devices 32, 1164 (1966).
2. D. S. Ong, K. F. Li, G. J. Rees, G. M. Dunn, J. P. R. David, and P. N. Robson, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1804 (1998).
3. S. A. Plimmer et al., IEEE Trans. Electron Devices 43, 1066 (1996).
4. K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, G. J. Rees, R. C. Tozer, P. N. Robson, and R. Grey, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2102 (1998).
5. A. Spinelli and A. L. Lacaita, IEEE Trans. Electron Devices 44, 1931 (1997).
6. S. Cova, M. Ghioni, A. Lacaita, C. Samori, and F. Zappa, Appl. Opt. 35, 1956 (1996).
7. A. Bandyopadhyay, M. Jamal Deen, L. E. Tarof, and W. Clark, IEEE J. Quantum Electron. 34, 691 (1998).
8. M. M. Hayat, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 39, 546 (1992).
9. M. M. Hayat, W. L. Sargeant, and B. E. A. Saleh, IEEE J. Quantum Electron. 28, 1360 (1992).
10. R. B. Emmons, J. Appl. Phys. 38, 3705 (1967).
11. R. J. McIntyre, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1623 (1999).
12. S. P. Wilson, Solid-State Electron. 38, 287 (1995).
13. S. A. Plimmer, J. P. R. David, and G. M. Dunn, IEEE Trans. Electron Devices 44, 659 (1997).
14. E. A. Bringuiller, Phys. Rev. B 49, 7974 (1994).
15. E. A. Bringuiller, Phys. Rev. B 58, 4543 (1998).
16. B. K. Ridley, J. Phys. C 16, 3373 (1983).
17. M. G. Burt, J. Phys. C 18, L477 (1985).
18. W. Fawcett, A. D. Boardman, and S. W. Swain, J. Phys. Chem. Solids 31, 1963 (1970).
19. G. M. Dunn, G. J. Rees, J. P. R. David, S. A. Plimmer, and D. C. Herbert, IEEE Trans. Electron Devices 43, 2303 (1996).
20. G. M. Dunn, G. J. Rees, and J. P. R. David, Compd. Semicond. 155, 659 (1997).
21. A. DiCarlo, P. Lugli, C. Canali, R. Malik, M. Manfredi, A. Neviani, E. Zanoni, and G. Zandler, Semicond. Sci. Technol. 13, 858 (1998).
22. J. Bude and K. Hess, J. Appl. Phys. 81, 3554 (1992).
23. O. Mouton, J. T. Thobel, and R. Fauquemberque, J. Appl. Phys. 81, 3160 (1996).
24. O. Madelung, Semiconductors-Basic Data, 2nd ed. (Springer, New York, 1996).
25. F. Capasso, in Semimetals and Semiconductors, edited by W. T. Tsang (Academic, San Diego, 1985), Vol. 22-D 1.
26. T. H. Windhorn, L. W. Cook, M. A. Haase, and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 42, 725 (1983).
27. K. F. Li, S. A. Plimmer, J. P. R. David, R. C. Tozer, G. J. Rees, P. N. Robson, C. C. Button, and J. C. Clark, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 364 (1999).
28. M. V. Fischetti, IEEE Trans. Electron Devices 38, 634 (1991).
29. G. Hill, P. N. Robson, and W. Fawcett, J. Appl. Phys. 50, 356 (1979).
30. C. A. Armiento and S. H. Groves, Appl. Phys. Lett. 43, 198 (1983).