Treatment of soft threshold in impact ionization

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 5, 2001, Pages 2538-2543

  Tan, C H ^a   David, J P R ^a   Rees, G J ^a   Tozer, R C ^a   Herbert, D C ^b  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

^b DEFENCE SCIENCE AND TECHNOLOGY LABORATORY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0040622034     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1388865     Document Type: Article

References (27)

1. R. J. McIntyre, IEEE Trans. Electron Devices ED-13, 164 (1966).
2. Y. Okuto and C. R. Crowell, Phys. Rev. B 10, 4284 (1974).
3. K. F. Li, S. A. Plimmer, J. P. R. David, R. C. Tozer, G. J. Rees, P. N. Robson, C. C. Button, and J. C. Clark, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 364 (1999).
4. K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, G. J. Rees, R. C. Tozer, P. N. Robson, and R. Grey, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2102 (1998).
5. C. Hu, K. A. Anselm, B. G. Streetman, and J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 69, 3734 (1996).
6. J. C. Campbell, S. Chandrasekhar, W. T. Tsang, G. J. Qua, and B. C. Johnson, J. Lightwave Technol. 7, 473 (1989).
7. J. C. Campbell, W. T. Tsang, G. J. Qua, and J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 51, 1454 (1987).
8. M. M. Hayat, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 39, 546 (1992).
9. M. M. Hayat, W. L. Sargeant, and B. E. A. Saleh, IEEE J. Quantum Electron. 28, 1360 (1992).
10. M. A. Saleh, M. M. Hayat, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 47, 625 (2000).
11. R. J. McIntyre, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1623 (1999).
12. P. Yuan. K. A. Anselm, C. Hu, H. Nie, C. Lenox, A. L. Holmes, B. G. Streetman, J. C. Campbell, and R. J. McIntyre. IEEE Trans. Electron Devices 46, 1632 (1999).
13. C. H. Tan, J. C. Clark, J. P. R. David, G. J. Rees, S. A. Plimmer, R. C. Tozer, D. C. Herbert, D. J. Robbins, W. Y. Leong, and J. Newey, Appl. Phys. Lett. 76, 3926 (2000).
14. C. L. Anderson and C. R. Crowell, Phys. Rev. B 5, 2267 (1972).
15. J. Y. Tang and K. Hess, J. Appl. Phys. 54, 5139 (1983).
16. E. Cartier, M. V. Fischetti, E. A. Eklund, and F. R. McFeely, Appl. Phys. Lett. 62, 3339 (1993).
17. T. Kunikiyo, M. Takenaka, M. Morifuji, K. Taniguchi, and C. Hamaguchi, J. Appl. Phys. 79, 7718 (1996).
18. J. Sik, J. Hora, and J. Humlicek, J. Appl. Phys. 84, 6291 (1998).
19. G. E. Jellison, Jr. and F. A. Modine, Appl. Phys. Lett. 41, 180 (1982).
20. A. Spinelli and A. Lacaita, IEEE Trans. Electron Devices 43, 23 (1996).
21. A. R. Pauchard, P. Besse, and R. A. Popovic, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1685 (2000).
22. T. Rang, Radioelectron. Commun. Syst. (USA) 28, 91 (1985).
23. D. E. Aspnes, EMIS Datareviews Ser. No. 4, 72 (1988).
24. N. Sano, T. Aoki, M. Tomizawa, and A. Yoshii, Phys. Rev. B 41, 12122 (1990).
25. C. Chang, C. Hu, and R. W. Brodersen, J. Appl. Phys. 57, 302 (1985).
26. E. O. Kane, Phys. Rev. 159, 624 (1967).
27. M. V. Fischetti and S. E. Laux, Phys. Rev. B 38, 9721 (1988).