The post-annealing effects of GaN epilayer grown on N+-ion-implanted sapphire substrate

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 42, Issue SPEC., 2003, Pages

  Jhin, Junggeun ^a   Kang, Pilkyu ^a   Byun, Dongjin ^a   Koh, Eui Kwan ^b   Lee, Jae Sang ^c   Lee, Jae Hyung ^c  

^a Korea University   (South Korea)

^b Korea Basic Science Institute (KBSI)   (South Korea)

^c Korea Atomic Energy Research Institute   (South Korea)

Author keywords

GaN; N+ ion implantation; Post annealing

Indexed keywords

EID: 0037306809     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (22)

1. I. Akasaki and H. Amano, J. Electrochem. Soc. 141, 2266 (1994).
2. R. F. Davis, Phyaica B 185, 1 (1993).
3. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. technol. B 10, 1237 (1992).
4. C. S. Lee, Physica and High Technology, Dec. 33 (1994).
5. D. Byun, G. Kim. D. Lim, D. Lee, I. H. Choi. D. Park and D. W. Kum, thin Solid Films 289, 256 (1996).
6. C. Y. Hwang, P. Lu, W. E. Mayo. Y. Lu and H. Liu, Mat. Res. Soc, Sym. Proc. 326, 347 (1994).
7. S. Chadda, M. Pelcynski, K.-Malloy, S. Hersee and Liu, Mat. Res. Soc. Sym. Proc. 326, 353 (1994).
8. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi. Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
9. A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
10. O.-H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva and R. F. Davis. Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
11. T. S. Zheleva, O.-H. Nam, M. D. Bremser and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
12. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991).
13. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
14. H.-J. Kim, D. Byun, G. Kim and D.-W. Kum, J. Appl. Phys. 87, 7940 (2000).
15. H.-J. Kim, J. Kim, D. Byun, D. Park and D.-W. Kum, J. Korean Phys. Soc. 35. S162 (1997).
16. Y. S. Cho, E. K. Koh, Y. J. Park, D. Koh, E. K. Kim, Y. Moon, S.-J. Leem, G. Kim and D. Byun, J. Crystal Growth 236, 538 (2002).
17. S. J. Lee, D. Byun, J. Ko, C. H. Hong and G. Kim, J. Korean Phys. Soc. 39, S478 (2001).
18. J. K. Hong, K. T. Sun, S. Kim, M. Y. Sung, C. S. Park, E. K. koh, I. W. Park, Y. J. Park and E. K. Kim, J. korean Phys. Soc. 39, S488 (2001).
19. S. Cho, J. Jhin, K. Kang, D. Byun and E. K. Koh, J. Korean Phys. Soc. 41, 1008 (2002).
20. C. A, Arguello, D. L. Rousseau and P. S. S. Porto, Phys. Rev. 181, 1351 (1969).
21. L. E. McNeil and J. H. Edgar, Properties of III-Nitrides (INSPEC. IEE, London, 1994) p. 252.
22. E. K. Koh, Y. J. Park, E. K. Kim, C. S. Park, S. H. Lee, J. H. Lee and S. H. Choh, J. Cryst. Growth 218, 214 (2000).