Effects of a SiNx capping layer on the properties of GaN treated by rapid thermal annealing

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 41, Issue 6, 2002, Pages 1008-1012

  Cho, Sungchan ^a   Jhin, Junggeun ^a   Kang, Kyoungtae ^a   Byun, Dongjin ^a   Koh, Eui Kwan ^b  

^a Korea University   (South Korea)

^b Korea Basic Science Institute (KBSI)   (South Korea)

Author keywords

Cap; GaN; RTA

Indexed keywords

EID: 0036946609     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (11)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. Part II, 36, L1568 (1997).
2. I. Akasaki, K. Hiramatsu and H. Amano, Memoirs of the Faculty of Engineering, Nagoya University, 43, 147 (1991).
3. H.-J. Kim, D. Byun, G. Kim and D.-W. Kum, J. Appl. Phys. 87, 7940 (2000).
4. Dongjin Byun, G. Kim, J. Jeong, B. Kim, D. Park and D.-W. Kum, J. Korean Phys. Soc. 30, S52 (1997).
5. H.-J. Kim, J. Kim, Dongjin Byun, D. Park and D.-W. Kum, J. Korean Phys. Soc 35, S162 (1999).
6. S. Lee, D. Byun, J. Ko, C. H. Hong and G. Kim, J. Korean Phys. Soc. 39, S478 (2001).
7. E. K. Koh, Y. J. Park, E. K. Kim, C. S. Park, S. H. Lee, J. H. Lee and S. H. Choh, J. Cryst. Growth 218, 214 (2000); J. K. Hong, K. T. Sun, S. Kim, M. Y. Sung, C. S. Park, E. K. Koh, I. W. Park, Y. J. Park and E. K. Kim, J. Korean Phys. Soc. 39, S488 (2001).
8. E. K. Koh, Y. J. Park, E. K. Kim, C. S. Park, S. H. Lee, J. H. Lee and S. H. Choh, J. Cryst. Growth 218, 214 (2000); J. K. Hong, K. T. Sun, S. Kim, M. Y. Sung, C. S. Park, E. K. Koh, I. W. Park, Y. J. Park and E. K. Kim, J. Korean Phys. Soc. 39, S488 (2001).
9. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer-verlag, Berlin, 1997), p. 27.
10. T. Ogino and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
11. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).