Correlation between the type of threading dislocations and photoluminescence characteristics at different doping concentrations of Si in GaN films

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 10, 2002, Pages 6343-6345

  Kim, Chinkyo ^a   Kim, Sungwoo ^a   Choi, Yoonho ^a   Leem, Shi Jong ^a  

^a LG Electronics Inc   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BRAGG PEAKS; DEEP LEVEL; DOPING CONCENTRATION; DOPING LEVELS; GAN FILM; GAN LAYERS; PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERISTICS; PL SPECTRA; THREADING DISLOCATION; X RAY ROCKING CURVE; YELLOW LUMINESCENCE;

EDGE DISLOCATIONS; GALLIUM NITRIDE; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON;

SEMICONDUCTOR DOPING;

EID: 0037113003     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1516261     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura, MRS Bull. 22, 29 (1997). mbu MRSBEA 0883-7694
2. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H. B. Dietrich, A. E. Wickenden, Solid-State Electron. 41, 177 (1997). sel SSELA5 0038-1101
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998). apl APPLAB 0003-6951
4. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
5. D. Kapolnek, X. H. Wu, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995). apl APPLAB 0003-6951
6. F. A. Ponce, B. S. Krusor, J. S. M., Jr., W. E. Plano, D. F. Welch, J. Appl. Phys. 67, 410 (1995). jap JAPIAU 0021-8979
7. S. D. Hersee, J. C. Ramer, K. J. Malloy, MRS Bull. 22, 45 (1997). mbu MRSBEA 0883-7694
8. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997). apl APPLAB 0003-6951
9. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. Götz, P. J. Wright, Appl. Phys. Lett. 68, 57 (1996). apl APPLAB 0003-6951
10. M. H. Zaldivar, P. Fernández, J. Piqueras, J. Appl. Phys. 83, 462 (1998). jap JAPIAU 0021-8979
11. W. Grieshaber, E. F. Schubert, I. D. Goepfert, R. F. Karlicek, Jr., M. J. Schurman, C. Tran, J. Appl. Phys. 80, 4615 (1996). jap JAPIAU 0021-8979
12. E. F. Schubert, I. D. Goepfert, W. Grieshaber, J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 921 (1997). apl APPLAB 0003-6951
13. T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano, S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L398 (1998). jjc JAPLD8 0021-4922
14. I.-H. Lee, I.-H. Choi, C. R. Lee, S. K. Noh, Appl. Phys. Lett. 71, 1359 (1997). apl APPLAB 0003-6951
15. A. E. Wickenden, L. B. Rowland, K. Doverspike, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, D. S. Simons, P. H. Chi, J. Electron. Mater. 24, 1547 (1995). jem JECMA5 0361-5235
16. P. F. Fewster, Semicond. Sci. Technol. 8, 1915 (1993). sst SSTEET 0268-1242
17. M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, K. Pakula, J. M. Baranowski, C. T. Foxon, T. S. Cheng, Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996). apl APPLAB 0003-6951
18. T. Metzger, R. Höpler, E. Born, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Stömmer, M. Schuster, H. Göbel, S. Christiansen, M. Albrecht, H. P. Strunk, Philos. Mag. A 77, 1013 (1998). pma PMAADG 0141-8610
19. D. Hull and D. J. Bacon, Introduction to Dislocations, 3rd ed. (Pergamon, Oxford, 1984).
20. S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, Phys. Rev. B 64, 035318 (2001). prb PRBMDO 0163-1829
21. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000). apl APPLAB 0003-6951