Strain state in GaN epilayers from optical experiments

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 2, 2001, Pages 1116-1119

  Deleporte, E ^a   Guenaud C ^a   Voos, M ^a   Beaumont, B ^b   Gibart, P ^b  

^a 24 Rue Lhomond   (France)

^b CRHEA CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 18044402827     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1329144     Document Type: Article

References (29)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahaa, N. Iwasa, and T. Yamada, Appl. Phys. Lett. 68, 2105 (1996).
2. Z. Yu, M. A. L. Johnson, T. Menully, J. D. Brown, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 6 (1998).
3. S. Haffouz, B. Beaumont, and P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 8 (1998).
4. B. Beaumont, V. Bousquet, P. Vennéguès, M. Vaille, A. Bouillé, P. Gibart, S. Dassoneville, A. Amokran, and B. Sieber, Phys. Status Solidi A 176, 567 (1999).
5. V. Bousquet, P. Vennéguès, B. Beaumont, M. Vaille, and P. Gibart, Phys. Status Solidi B 216, 691 (1999).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matushita, and T. Mukai, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G1.1 (1999).
7. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
8. D. Kovalev, B. Averboukh, D. Volm, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 54, 2518 (1996).
9. S. J. Hwang, Y. H. Cho, J. J. Song, W. Shan, and Y. C. Chang, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 691 (1998).
10. C. Guénaud, E. Deleporte, M. Voos, C. Delalande, B. Beaumont, P. Gibart, M. Leroux, and J. P. Faurie, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 10 (1997).
11. B. J. Skromme, H. Zhao, B. Goldenberg, H. S. Kong, M. T. Leonard, G. E. Bulman, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 713 (1997).
12. A. J. Fischer, W. Shan, J. J. Song, Y. C. Chang, R. Horning, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 71, 1981 (1991).
13. A. A. Yamaguchi, Y. Mochizuki, H. Sunakawa, and A. Usui, J. Appl. Phys. 83, 4542 (1998).
14. B. Gil, O. Briot, and R. L. Aulombard, Phys. Rev. B 52, R17028 (1995).
15. B. Gil et al., in Group III-V Nitride Semiconductor Compounds, Physics and Applications (Clarendon, Oxford, 1998).
16. K. Kornitzer, K. Thonke, R. Sauer, M. Mayer, M. Kamp, and K. J. Ebeling, J. Appl. Phys. 83, 4397 (1998).
17. I. A. Buyanova, J. P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 1255 (1996).
18. K. P. Korona, A. Wysmolek, K. Pakula, R. Stepniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, M. Wroblewski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996).
19. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1994).
20. S. F. Chichibu, T. Sota, K. Wada, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G2.7 (1999).
21. M. O. Manasreh, Phys. Rev. B 53, 16425 (1996).
22. H. Teisseyre, P. Perlin, T. Susk, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A. Pietraszko, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 2429 (1994).
23. B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, W. Li, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 158 (1996).
24. C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova, and F. H. Pollak, Phys. Rev. B 55, 9251 (1997).
25. P. Perlin, L. Mattos, N. A. Shapiro, J. Kruger, W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, and E. R. Weber, J. Appl. Phys. 85, 2385 (1999).
26. D. Volm, K. Oettinger, T. Stribl, and D. Kovalev, Phys. Rev. B 53, 16543 (1996).
27. T. W. Weeks, M. D. Bremser, K. S. Ailey, E. Carlson, W. G. Perry, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995).
28. K. Wang and R. R. Reeber, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 863 (1998).
29. B. Beaumont (private communication).