Dispersion-related assessments of temperature dependences for the fundamental band gap of hexagonal GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 8, 2001, Pages 3956-3964

  Passler R ^a  

^a CHEMNITZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035886060     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1402147     Document Type: Article

References (36)

1. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 34, 149 (1967).
2. C. D. Thurmond, J. Electrochem. Soc. 122, 1133 (1975).
3. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
4. R. Pässler, J. Appl. Phys. 88, 2570 (2000).
5. G. D. Cody, in Hydrogenated Amorphous Silicon, edited by J. I. Pankov, Semiconductors and Semimetals (Academic, New York, 1984), Vol. 21(b), Chap. 2, pp. 11-79.
6. L. Viña, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 30, 1979 (1984).
7. S. Logothetidis, L. Viña, and M. Cardona, Phys. Rev. B 31, 947 (1985).
8. P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 35, 9174 (1987).
9. K. P. Korona, A. Wysmolek, K. Pakuła, R. Stȩpniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. Łucznik, M. Wróblewski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996).
10. R. Pässler, Solid-State Electron. 39, 1311 (1996).
11. R. Pässler, Phys. Status Solidi B 200, 155 (1997).
12. R. Pässler, J. Appl. Phys. 83, 3356 (1998).
13. H. Teisseyre, P. Perlin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A. Pietraszko, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 2429 (1994).
14. W. Shan, T. Schmidt, X. H. Yang, J. J. Song, and B. Goldenberg, J. Appl. Phys. 79, 3691 (1996).
15. H. Herr, Diplomarbeit, Technische Universität München, 1996.
16. S. Chichibu, T. Mizutani, T. Shioda, H. Nakanishi, T. Deguchi, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 3440 (1997).
17. F. Calle, F. J. Sánchez, T. M. G. Tijero, M. A. Sánchez-García, E. Calleja, and R. Beresford, Semicond. Sci. Technol. 12, 1396 (1997).
18. C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova, and F. H. Pollak, Phys. Rev. 55, 9251 (1997).
19. A. J. Fischer, W. Shan, J. J. Song, Y. C. Chang, R. Horning, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 71, 1981 (1997).
20. K. Kornitzer, K. Thonke, R. Sauer, M. Mayer, M. Kamp, and K. J. Ebeling, J. Appl. Phys. 83, 4397 (1998).
21. G. P. Yablonskii et al., J. Electron. Mater. 27, 222 (1998).
22. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
23. R. Pässler, J. Appl. Phys. 89, 6235 (2001).
24. R. Pässler, Phys. Status Solidi B 216, 975 (1999).
25. J. C. Nipko, C.-K. Loong, C. M. Balkas, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 73, 34 (1998).
26. J. C. Nipko and C.-K. Loong, Phys. Rev. B 57, 10 550 (1998).
27. V. Yu. Davydov, V. V. Emtsev, I. N. Goncharuk, A. N. Smirnov, V. D. Petrikov, V. V. Mamutin, V. A. Veksin, and S. V. Ivanov. Appl. Phys. Lett. 75, 3297 (1999).
28. A. Manoogian and J. C. Wooley, Can. J. Phys. 62, 285 (1984).
29. S. Zollner, M. Garriga, J. Kirchner, J. Humliček, and M. Cardona, Phys. Rev. B 48, 7915 (1993).
30. K. P. O'Donnell and X. Chen. Appl. Phys. Lett. 58, 2924 (1991).
31. K.-C. Chiu, Y-C. Su, and H.-A. Tu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 6374 (1998).
32. R. Pässler, J. Appl. Phys. 86, 4403 (1999).
33. M. O. Manasreh, Phys. Rev. B 53, 16425 (1996).
34. L. Malikova, Y. S. Huang, F. H. Pollak, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall, Solid State Commun. 103, 273 (1997).
35. A. K. Viswanath, J. I. Lee, S. Yu, D. Kim, Y. Choi, and C.-H. Hong, J. Appl. Phys. 84, 3848 (1998).
36. A. K. Viswanath, J. I. Lee, C. R. Lee, J. Y. Leem, and D. Kim, Solid State Commun. 108, 483 (1998).