Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using γ-Al2O3 as an intermediate layer

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 1, 1998, Pages 109-111

  Wang, Lianshan ^a   Liu, Xianglin ^a   Zan, Yude ^a   Wang, Jun ^a   Wang, Du ^a   Lu, Da Cheng ^a   Wang, Zhanguo ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000794155     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120660     Document Type: Article

References (27)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett. 68, 2105 (1996).
4. Ö. Aktas, W. Kim, Z. Fan, A. Bothkarev, A. Salvador, S. N. Mohammad, B. Sverdlov, and H. Morkoç, Electron. Lett. 31, 1389 (1995).
5. T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, R. J. Graham, and J. Scanlon, Appl. Phys. Lett. 59, 944 (1991).
6. T. Lei, T. D. Moustakas, R. J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz, J. Appl. Phys. 71, 4933 (1992);
7. T. Lei, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, 74, 4430 (1993);
8. S. N. Basu, T. Lei, and T. D. Moustakas, J. Mater. Res. 9, 2370 (1994).
9. S. Fujieda and Y. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1665 (1991).
10. A. Kuramata, K. Hirino, K. Domen, K. Shinohara, and T. Tanahashi, Appl. Phys. Lett. 67, 2521 (1995).
11. B. N. Sverdlov, G. A. Martin, H. Morkoç, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 67, 2063 (1995).
12. Z. Sitar, M. J. Paisley, B. Yan, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 537 (1990).
13. T. Sasaki and S. Zembutsu, J. Appl. Phys. 61, 2533 (1987).
14. C.-J. Sun and M. Ragzeghi, Appl. Phys. Lett. 63, 973 (1993).
15. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
16. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 1705 (1991).
17. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2112 (1989).
18. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L139 (1992).
19. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1998 (1991).
20. Z. J. Yu, B. S. Sywe, A. U. Ahmed, and J. H. Edgar, J. Electron. Mater. 21, 383 (1992).
21. T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 634 (1991).
22. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 391 (1993).
23. P. Kung, A. Saxler, X. Zhang, D. Walker, T. C. Wang, I. Ferguson, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 66, 2958 (1995).
24. M. Ishida, I. Katakabe, N. Ohtake, and T. Nakamura, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 375 (1988).
25. M. Ishida, I. Katakabe, T. Nakamura, and N. Ohtake, Appl. Phys. Lett. 52, 1326 (1988).
26. R. W. G. Wyckoff, Crystal Structures, 2nd ed. (Interscience, New York, 1965), Vol. 3, p. 84.
27. J. N. Kuznia, M. Asif Khan, D. T. Olson, R. Kaplan, J. Freitas, J. Appl. Phys. 73, 4700 (1993).