Optical and structural properties of the high in content InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 39, Issue SUPPL. Part 1, 2001, Pages

  Cheong, M G ^a   Choi, R J ^a   Kim, C S ^a   Yoon, H S ^a   Cho, H K ^a   Hong, C H ^a   Suh, E K ^a   Lee, H J ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035542118     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (20)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagaham, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 34, L797 (1995).
2. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature 386, 351 (1997).
3. K. Uchida, M. Kawata, T. Yang, A. Miwa and J. Gotoh, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L571 (1998).
4. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
5. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sato and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 70, 2822 (1997).
6. E. J. Shin, N. W. Song, J. I. Lee, D. Kim, M. Y. Ryu, P. W. Yu, D. Lee, Y. -H. Choi and C. -H. Hong, J. Korean Phys. Soc. 34, S374 (1999).
7. M. Y. Ryu, P. W. Yu, E. J. Shin, J. I. Lee, S. K. Yu, E. S. Oh, Y. J. Par, H. S. Park and T. I. Kim, J. Korean Phys. Soc. 37, 387 (2001).
8. K. Domen, A. Kuramata and T. Tanashashi, Appl. Phys. Lett. 72, 1359 (1998).
9. S. Nakamura, M. Senoh, S. nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugaimoto and H. Kikyokau, Appl. Phys. Lett. 70, 2753 (1997).
10. P. Riblet, H. Hirayama, A. Kinoshita, A. Hirata, T. Sugano and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 75, 2241 (1999).
11. N. A. Shapiro, P. Perlin, C. Kisielowski, L. S. Mattos, J. W. Yang and E. R. Weber. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, 1 (2000).
12. D. J. Kim, Y. T. Moon, K. M. Song, C. J. Choi, Y. W. Ok, T. Y. Seong and S. J. Park, J. Crys. Growth. 221, 368 (2000).
13. N. Grandjean, J. Massies, S. Dalmasso, P. Vennegnes, L. Siozande and L. Hirsch, Appl. Phys. Lett. 74, 3616 (1999).
14. K. Uchida, M. Kawata, T. Yang, S. Toto, T. Mishima, A. Niwa and J. Gotoh, Journal of Electronic Materials 28, 246 (1999).
15. H. K. Cho, J. Y. Lee, K. K. Kim and G. M. Yang, Appl. Phys. Lett. 247, 77 (2000).
16. M. G. Cheong, C. S. Kim, R. J. Choi, H. S. Yoon, C.-H. Hong, E. -K. Suh and H. J. Lee, To be published in J. Korean Phys. Soc.
17. M. G. Cheong, C. S. Kim, R. J. Choi, H. S. Yoon, C. -H. Hong, E. -K. Suh and H. J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 38, 701 (2001).
18. M. G. Choeng, C. S. Kim, S. W. Yu, R. J. Choi, H. S. Yoon, N. W. Namgung, Y. K. Hong, C. -H. Hong, E.-K. Suh and H. J. Lee, To be published in J. Crys. Growth.
19. W. Z. Shen, W. G. Tang, S. C. Shen, S. M. Wang and T. Anderson Appl. Phys. Lett. 65, 2728 (1994).
20. S. D. Lester, M. J. Ludowise, K. P. Killeen, B. H. Perez, J. N. Miller and S. J. Rosner, Journal of Crystal Growth 189/190. 786 (1998).