Growth of a GaN overlayer with low threading dislocation density using stacking faults

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 39, Issue 4 SUPPL. Part 1, 2001, Pages 622-626

  Cho, H K ^a   Lee, J Y ^a   Kim, K S ^b   Yang, G M ^b  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^b Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035541350     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (28)

1. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997), p. 7.
2. Y. S. Park, J. Korean Phys. Soc. 34, S199 (1999).
3. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
4. W. Qian, M. Skowronsk, M. DeGraef, K. Doverspike, L. B. Rowland and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1252 (1995).
5. B. Garni, J. Ma, N. Perkins, J. Liu, T. F. Kuech and M. G. Lagally, Appl. Phys. Lett. 68, 1380 (1996).
6. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
7. D. Kapolnek, X. H. Wu, B. Heying, S. Keller, B. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995).
8. X. H. Wu, D. Kapolnek, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 1371 (1996).
9. W. Rieger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacher and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 68, 970 (1996).
10. N. Grandjean, M. Leroux, M. Laugt and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 71, 240 (1997).
11. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989).
12. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991).
13. K. S. Kim, G. M. Yang, J-H. Kim, K. J. Lee, C. S. Oh, D. H. Lim, C-H. Hong, K. Y. Lim and H. J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 34, S409 (1999).
14. H. K. Cho, J. Y. Lee, K. S. Kim and G. M. Yang, Appl. Phys. Lett. 77, 247 (2000).
15. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
16. H. Amano. K. Hiramatsu and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1384 (1998).
17. S. Kaiser, H. Preis, W. Gebhardt, O. Ambacher, H. Angerer, M. Stutzmann, A. Rosenauer and D. Gerthsen, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 84 (1998).
18. C. K. Shu, W. H. Lee, Y. C. Pan, C. C. Chen, H. C. Lin, J. Ou, W. H. Chen, W. K. Chen and M. C. Lee, Solid State Commun. 114, 291 (2000); G. Pozina, J. P. Bergman, T. Paskova and B. Monemar, Appl. Phys. Lett. 75, 4124 (1999).
19. C. K. Shu, W. H. Lee, Y. C. Pan, C. C. Chen, H. C. Lin, J. Ou, W. H. Chen, W. K. Chen and M. C. Lee, Solid State Commun. 114, 291 (2000); G. Pozina, J. P. Bergman, T. Paskova and B. Monemar, Appl. Phys. Lett. 75, 4124 (1999).
20. F. A. Ponce, C. P. Bour, W. Gotz, N. M. Johnson, H. I. Helava, I. Grzegory, J. Jun and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 68, 917 (1996).
21. M. Leszczynski, H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, C. T. Foxon and T. S. Cheng, Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996).
22. S. Perkowitz, Optical Characterization of Semiconductors: Infrared, Raman and Photoluminescence Spectra (Academic, London, 1990), p. 325.
23. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).
24. S. I. Molina, A. M. Sanchez, F. J. Pacheco, R. Garcia, M. A. Sanchez-Garcia, F. J. Sanchez and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 74, 3362 (1999).
25. W. Qian, M. Skowronski, M. De Graef, K. Doverspike, L. B. Rowland and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1252 (1995).
26. L. T. Romano, B. S. Krusor and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997).
27. A. Sakai, H. Sunakawa and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
28. C. C. Yang, M. C. Wu, C. H. Lee and G. C. Chi, J. Appl. Phys. 87, 4240 (2000).